321 ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਕੋਇਲਡ ਟਿਊਬ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਇੱਕ ਨਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਾਲ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਵੇਲਡ ਦਾ ਖੋਰ ਵਿਵਹਾਰ

Nature.com 'ਤੇ ਜਾਣ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਧੰਨਵਾਦ।ਤੁਸੀਂ ਸੀਮਤ CSS ਸਮਰਥਨ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਬ੍ਰਾਊਜ਼ਰ ਸੰਸਕਰਣ ਵਰਤ ਰਹੇ ਹੋ।ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਅਨੁਭਵ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਸਿਫ਼ਾਰਿਸ਼ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਕਿ ਤੁਸੀਂ ਇੱਕ ਅੱਪਡੇਟ ਕੀਤੇ ਬ੍ਰਾਊਜ਼ਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ (ਜਾਂ ਇੰਟਰਨੈੱਟ ਐਕਸਪਲੋਰਰ ਵਿੱਚ ਅਨੁਕੂਲਤਾ ਮੋਡ ਨੂੰ ਅਯੋਗ ਕਰੋ)।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਚੱਲ ਰਹੇ ਸਮਰਥਨ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਸਟਾਈਲ ਅਤੇ JavaScript ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਸਾਈਟ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਾਂ।
ਪ੍ਰਤੀ ਸਲਾਈਡ ਤਿੰਨ ਲੇਖ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹੋਏ ਸਲਾਈਡਰ।ਸਲਾਈਡਾਂ ਵਿੱਚ ਜਾਣ ਲਈ ਪਿੱਛੇ ਅਤੇ ਅਗਲੇ ਬਟਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ, ਜਾਂ ਹਰ ਇੱਕ ਸਲਾਈਡ ਵਿੱਚ ਜਾਣ ਲਈ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਸਲਾਈਡ ਕੰਟਰੋਲਰ ਬਟਨਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ।

ਸਟੀਲ 321 ਕੋਇਲ ਟਿਊਬ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ

321 ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਕੋਇਲ ਟਿਊਬਿੰਗ ਦੀ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹੈ:
- ਕਾਰਬਨ: 0.08% ਅਧਿਕਤਮ
- ਮੈਂਗਨੀਜ਼: 2.00% ਅਧਿਕਤਮ
- ਨਿੱਕਲ: 9.00% ਮਿੰਟ

ਸਟੇਨਲੈੱਸ ਸਟੀਲ 321 ਕੋਇਲ ਟਿਊਬ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ 321 ਕੋਇਲ ਟਿਊਬ ਨਿਰਮਾਤਾ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ 321 ਕੋਇਲ ਟਿਊਬਿੰਗ ਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਹੇਠਾਂ ਸਾਰਣੀਬੱਧ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ: ਟੇਨਸਾਈਲ ਸਟ੍ਰੈਂਥ (ਪੀਐਸਆਈ) ਯੀਲਡ ਸਟ੍ਰੈਂਥ (ਪੀਐਸਆਈ) ਲੰਬਾਈ (%)

ਸਟੇਨਲੈੱਸ ਸਟੀਲ 321 ਕੋਇਲ ਟਿਊਬ ਦੇ ਉਪਯੋਗ ਅਤੇ ਉਪਯੋਗ

ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ (DSS) ਵੇਲਡ ਬਣਤਰਾਂ ਦੀਆਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਖੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਾਰਕ ਹਨ।ਮੌਜੂਦਾ ਅਧਿਐਨ ਨੇ 3.5% NaCl ਦੀ ਨਕਲ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ, ਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡਿਜ਼ਾਇਨ ਕੀਤੇ ਨਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਵਿੱਚ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕੀਤੇ ਬਿਨਾਂ।2.40 ਅਤੇ 0.40 ਦੇ ਮੂਲ ਸੂਚਕਾਂਕ ਵਾਲੇ ਦੋ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕ੍ਰਮਵਾਰ DSS ਬੋਰਡਾਂ ਦੀ ਵੈਲਡਿੰਗ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 'ਤੇ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਥਰਮੋਗ੍ਰਾਵੀਮੀਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਫਲੈਕਸ ਰਚਨਾਵਾਂ ਦੀ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਵੱਖ-ਵੱਖ ASTM ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਐਮੀਸ਼ਨ ਸਪੈਕਟਰੋਸਕੋਪੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਦੇ ਨਾਲ ਨਾਲ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਖੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਐਕਸ-ਰੇ ਡਿਸਫਰੈਕਸ਼ਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ DSS ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਪੜਾਵਾਂ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ EDS ਦੇ ਨਾਲ ਸਕੈਨਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਤਣਾਅ ਦੀ ਤਾਕਤ 715-732 MPa ਦੇ ਅੰਦਰ ਸੀ, E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੁਆਰਾ - 606-687 MPa।ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਨੂੰ 90 ਏ ਤੋਂ 110 ਏ ਤੱਕ ਵਧਾ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਠੋਰਤਾ ਨੂੰ ਵੀ ਵਧਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਲਡ ਕੀਤੇ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਬੇਸਿਕ ਫਲੈਕਸਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲੇਪ ਕੀਤੇ ਗਏ ਵਧੀਆ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਸਟੀਲ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ 3.5% NaCl ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੈ।ਇਹ ਨਵੇਂ ਵਿਕਸਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨਾਲ ਬਣੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲਤਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ Cr ਅਤੇ Mo ਵਰਗੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਕਮੀ, ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਏ ਗਏ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ Cr2N ਦੀ ਰਿਹਾਈ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਨਤੀਜਿਆਂ ਦੀ ਚਰਚਾ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।
ਇਤਿਹਾਸਕ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ (DSS) ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਅਧਿਕਾਰਤ ਜ਼ਿਕਰ 1927 ਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਇਹ ਸਿਰਫ ਕੁਝ ਖਾਸ ਕਾਸਟਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਸੀ ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਉੱਚ ਕਾਰਬਨ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਤਕਨੀਕੀ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਨਹੀਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਸੀ।ਪਰ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ, ਮਿਆਰੀ ਕਾਰਬਨ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ 0.03% ਦੇ ਅਧਿਕਤਮ ਮੁੱਲ ਤੱਕ ਘਟਾ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ, ਅਤੇ ਇਹ ਸਟੀਲ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੇ ਗਏ 2,3.ਡੀਐਸਐਸ ਮਿਸ਼ਰਤ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਪਰਿਵਾਰ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਲਗਭਗ ਬਰਾਬਰ ਮਾਤਰਾ ਵਿੱਚ ਫੈਰਾਈਟ ਅਤੇ ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਹਨ।ਖੋਜ ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਹੈ ਕਿ ਡੀਐਸਐਸ ਵਿੱਚ ਫੇਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਕਲੋਰਾਈਡ-ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਤਣਾਅ ਖੋਰ ਕਰੈਕਿੰਗ (ਐਸਸੀਸੀ) ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 20 ਵੀਂ ਸਦੀ ਵਿੱਚ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਸਟੈਨਲੇਲ ਸਟੀਲਜ਼ (ਏਐਸਐਸ) ਲਈ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮੁੱਦਾ ਸੀ।ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ, ਕੁਝ ਇੰਜਨੀਅਰਿੰਗ ਅਤੇ ਹੋਰ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਸਟੋਰੇਜ ਦੀ ਮੰਗ 20% ਪ੍ਰਤੀ ਸਾਲ ਦੀ ਦਰ ਨਾਲ ਵਧ ਰਹੀ ਹੈ।ਦੋ-ਪੜਾਅ austenitic-ferritic ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇਸ ਨਵੀਨਤਾਕਾਰੀ ਸਟੀਲ ਨੂੰ ਢੁਕਵੀਂ ਰਚਨਾ ਦੀ ਚੋਣ, ਭੌਤਿਕ-ਰਸਾਇਣਕ ਅਤੇ ਥਰਮੋਮੈਕਨੀਕਲ ਰਿਫਾਈਨਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਸਿੰਗਲ-ਫੇਜ਼ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ, DSS ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਉਪਜ ਦੀ ਤਾਕਤ ਅਤੇ SCC5, 6, 7, 8 ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰਨ ਦੀ ਉੱਤਮ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ। ਡੁਪਲੈਕਸ ਬਣਤਰ ਇਹਨਾਂ ਸਟੀਲਾਂ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ਾਬ, ਐਸਿਡ ਕਲੋਰਾਈਡਾਂ ਵਾਲੇ ਹਮਲਾਵਰ ਵਾਤਾਵਰਨ ਵਿੱਚ ਬੇਮਿਸਾਲ ਤਾਕਤ, ਕਠੋਰਤਾ ਅਤੇ ਵਧੀ ਹੋਈ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਸਮੁੰਦਰ ਦਾ ਪਾਣੀ ਅਤੇ ਖਰਾਬ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਰਸਾਇਣ9.ਆਮ ਬਜ਼ਾਰ ਵਿੱਚ ਨਿੱਕਲ (Ni) ਮਿਸ਼ਰਤ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦੀ ਸਾਲਾਨਾ ਕੀਮਤ ਵਿੱਚ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ ਦੇ ਕਾਰਨ, DSS ਬਣਤਰ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਘੱਟ ਨਿੱਕਲ ਕਿਸਮ (ਲੀਨ DSS), ਨੇ ਫੇਸ ਸੈਂਟਰਡ ਕਿਊਬਿਕ (FCC) ਆਇਰਨ 10, 11 ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰੀਆਂ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਾਪਤੀਆਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀਆਂ ਹਨ। ASE ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਉਹ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕਠੋਰ ਹਾਲਤਾਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਹਨ।ਇਸ ਲਈ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਵਿਭਾਗ ਅਤੇ ਕੰਪਨੀਆਂ ਵਿਕਲਪਕ ਘੱਟ ਨਿਕਲ (Ni) ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਨੂੰ ਉਤਸ਼ਾਹਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕਰ ਰਹੀਆਂ ਹਨ ਜੋ ਢੁਕਵੀਂ ਵੇਲਡਬਿਲਟੀ ਦੇ ਨਾਲ ਰਵਾਇਤੀ ASS ਨਾਲੋਂ ਵਧੀਆ ਜਾਂ ਬਿਹਤਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ ਅਤੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਮੁੰਦਰੀ ਪਾਣੀ ਦੇ ਹੀਟ ਐਕਸਚੇਂਜਰਾਂ ਅਤੇ ਰਸਾਇਣਕ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀਆਂ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ।ਕਲੋਰਾਈਡ ਦੀ ਉੱਚ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਲਈ ਕੰਟੇਨਰ 13।
ਆਧੁਨਿਕ ਤਕਨੀਕੀ ਤਰੱਕੀ ਵਿੱਚ, ਵੇਲਡ ਉਤਪਾਦਨ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਭੂਮਿਕਾ ਅਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਡੀਐਸਐਸ ਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਮੈਂਬਰ ਗੈਸ ਸ਼ੀਲਡ ਆਰਕ ਵੈਲਡਿੰਗ ਜਾਂ ਗੈਸ ਸ਼ੀਲਡ ਆਰਕ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਜੁੜੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਵੇਲਡ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਰਚਨਾ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਵੈਲਡਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਦੋ ਹਿੱਸੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ: ਧਾਤ ਅਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹ।ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਅਕਸਰ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ ਫਲੈਕਸ ਨਾਲ ਕੋਟ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਧਾਤਾਂ ਦਾ ਮਿਸ਼ਰਣ ਜੋ, ਜਦੋਂ ਸੜ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਗੈਸਾਂ ਨੂੰ ਛੱਡਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਨੂੰ ਗੰਦਗੀ ਤੋਂ ਬਚਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸੁਰੱਖਿਆ ਸਲੈਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਚਾਪ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਅਲਾਇੰਗ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਜੋੜਦਾ ਹੈ14 .ਕਾਸਟ ਆਇਰਨ, ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ, ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ, ਹਲਕਾ ਸਟੀਲ, ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਵਾਲਾ ਸਟੀਲ, ਤਾਂਬਾ, ਪਿੱਤਲ ਅਤੇ ਕਾਂਸੀ ਵੈਲਡਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਧਾਤਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਕੁਝ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਸੈਲੂਲੋਜ਼, ਆਇਰਨ ਪਾਊਡਰ, ਅਤੇ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਕੁਝ ਪ੍ਰਵਾਹ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਹਨ।ਕਈ ਵਾਰ ਸੋਡੀਅਮ, ਟਾਈਟੇਨੀਅਮ ਅਤੇ ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਨੂੰ ਵੀ ਫਲੈਕਸ ਮਿਸ਼ਰਣ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਕੁਝ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਵੇਲਡਡ ਸਟੀਲ ਬਣਤਰਾਂ ਦੀ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਖੋਰ ਇਕਸਾਰਤਾ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸੰਰਚਨਾ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਦੀ ਕੋਸ਼ਿਸ਼ ਕੀਤੀ ਹੈ।ਸਿੰਘ ਆਦਿ।15 ਨੇ ਡੁੱਬੀ ਚਾਪ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਵੇਲਡਾਂ ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ਤਣਾਅ ਦੀ ਤਾਕਤ 'ਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਰਚਨਾ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ।ਨਤੀਜੇ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ CaF2 ਅਤੇ NiO FeMn ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਤਣਾਅ ਦੀ ਤਾਕਤ ਦੇ ਮੁੱਖ ਨਿਰਧਾਰਕ ਹਨ।ਚਿਰਾਗ ਐਟ ਅਲ.16 ਨੇ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਫਲੈਕਸ ਮਿਸ਼ਰਣ ਵਿੱਚ ਰੂਟਾਈਲ (TiO2) ਦੀ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਨੂੰ ਵੱਖਰਾ ਕਰਕੇ SMAW ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ।ਇਹ ਪਾਇਆ ਗਿਆ ਕਿ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਤਤਾ ਅਤੇ ਮਾਈਗਰੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਵਾਧੇ ਕਾਰਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਹਾਰਡਨੈਸ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ ਹੈ।ਕੁਮਾਰ [17] ਨੇ ਸਟੀਲ ਸ਼ੀਟਾਂ ਦੀ ਡੁੱਬੀ ਚਾਪ ਵੈਲਡਿੰਗ ਲਈ ਸਮੂਹਿਕ ਪ੍ਰਵਾਹਾਂ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ।Nwigbo ਅਤੇ Atuanya18 ਨੇ ਚਾਪ ਵੈਲਡਿੰਗ ਫਲੈਕਸਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ-ਅਮੀਰ ਸੋਡੀਅਮ ਸਿਲੀਕੇਟ ਬਾਈਂਡਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਅਤੇ 430 MPa ਦੀ ਉੱਚ ਤਣਾਅ ਵਾਲੀ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਵੀਕਾਰਯੋਗ ਅਨਾਜ ਬਣਤਰ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡ ਲੱਭੇ।Lothongkum et al.19 ਨੇ 3.5% wt ਦੀ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ 'ਤੇ ਇੱਕ ਹਵਾ-ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ NaCl ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ 28Cr–7Ni–O–0.34N ਵਿੱਚ ਔਸਟੇਨਾਈਟ ਦੇ ਵਾਲੀਅਮ ਫਰੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਕਿਨੇਟਿਕ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ।pH ਸਥਿਤੀਆਂ ਦੇ ਅਧੀਨ.ਅਤੇ 27 ਡਿਗਰੀ ਸੈਂ.ਡੁਪਲੈਕਸ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਦੋਵੇਂ ਖੋਰ ਵਿਹਾਰ 'ਤੇ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਦਾ ਇੱਕੋ ਜਿਹਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਨੇ pH 7 ਅਤੇ 10 'ਤੇ ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ ਜਾਂ ਦਰ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ, ਹਾਲਾਂਕਿ, pH 10 'ਤੇ ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ pH 7 ਤੋਂ ਘੱਟ ਸੀ। ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ, ਅਧਿਐਨ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਾਰੇ pH ਪੱਧਰਾਂ 'ਤੇ, ਸੰਭਾਵੀ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਸਮੱਗਰੀ ਵਧਣ ਨਾਲ ਵਧਣ ਲੱਗੀ। .Lacerda et al.20 ਨੇ ਚੱਕਰਵਾਤੀ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਡਾਇਨਾਮਿਕ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ 3.5% NaCl ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ UNS S31803 ਅਤੇ UNS S32304 ਦੀ ਪਿਟਿੰਗ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ।NaCl ਦੇ 3.5 wt.% ਘੋਲ ਵਿੱਚ, ਦੋ ਜਾਂਚ ਕੀਤੇ ਸਟੀਲ ਪਲੇਟਾਂ 'ਤੇ ਪਿਟਿੰਗ ਦੇ ਚਿੰਨ੍ਹ ਪਾਏ ਗਏ ਸਨ।UNS S31803 ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ UNS S32304 ਸਟੀਲ ਨਾਲੋਂ ਉੱਚ ਖੋਰ ਸਮਰੱਥਾ (Ecorr), ਪਿਟਿੰਗ ਸੰਭਾਵੀ (Epit) ਅਤੇ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (Rp) ਹੈ।UNS S31803 ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ UNS S32304 ਸਟੀਲ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਰਿਪੇਸਿਟੀ ਹੈ।ਜਿਆਂਗ ਐਟ ਅਲ ਦੁਆਰਾ ਇੱਕ ਅਧਿਐਨ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ.[21], ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਦੇ ਡਬਲ ਪੜਾਅ (ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਅਤੇ ਫੇਰਾਈਟ ਪੜਾਅ) ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਰੀਐਕਟੀਵੇਸ਼ਨ ਪੀਕ ਵਿੱਚ 65% ਤੱਕ ਫੈਰਾਈਟ ਰਚਨਾ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਫੈਰਾਈਟ ਰੀਐਕਟੀਵੇਸ਼ਨ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਵਧਦੀ ਹੀਟ ਟ੍ਰੀਟਮੈਂਟ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਵਧਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਸੰਭਾਵੀ 21,22,23,24 'ਤੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਅਬਡੋ ਐਟ ਅਲ.25 ਨੇ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਲਿਨਨ ਐਸਿਡਿਟੀ ਅਤੇ ਅਲਕਾ ਦੀ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਅਧੀਨ ਨਕਲੀ ਸਮੁੰਦਰੀ ਪਾਣੀ (3.5% NaCl) ਵਿੱਚ ਲੇਜ਼ਰ-ਵੇਲਡ 2205 DSS ਮਿਸ਼ਰਤ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਖੋਰ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਇਮਪੀਡੈਂਸ ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਸਕੋਪੀ ਦੇ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਡਾਇਨਾਮਿਕ ਮਾਪਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ।ਪਰੀਖਣ ਕੀਤੇ DSS ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੀਆਂ ਖੁੱਲ੍ਹੀਆਂ ਸਤਹਾਂ 'ਤੇ ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ ਦੇਖੀ ਗਈ ਸੀ।ਇਹਨਾਂ ਖੋਜਾਂ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਇਹ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਕਿ ਘੁਲਣ ਵਾਲੇ ਮਾਧਿਅਮ ਦੇ pH ਅਤੇ ਚਾਰਜ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਬਣੀ ਫਿਲਮ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਇੱਕ ਅਨੁਪਾਤਕ ਸਬੰਧ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਪਿਟਿੰਗ ਦੇ ਗਠਨ ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਨਿਰਧਾਰਨ ਨੂੰ ਸਿੱਧਾ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਇਹ ਸਮਝਣਾ ਸੀ ਕਿ ਕਿਵੇਂ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਵਿਕਸਤ ਵੈਲਡਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਰਚਨਾ 3.5% NaCl ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਵੇਲਡ ਡੀਐਸਐਸ 2205 ਦੀ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਪਹਿਨਣ-ਰੋਧਕ ਅਖੰਡਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਕੋਟਿੰਗ ਫਾਰਮੂਲੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਗਏ ਪ੍ਰਵਾਹ ਖਣਿਜ (ਸਾਮੱਗਰੀ) ਓਬਾਜਾਨਾ ਜ਼ਿਲ੍ਹੇ, ਕੋਗੀ ਰਾਜ, ਨਾਈਜੀਰੀਆ ਤੋਂ ਕੈਲਸ਼ੀਅਮ ਕਾਰਬੋਨੇਟ (CaCO3), ਤਾਰਾਬਾ ਰਾਜ, ਨਾਈਜੀਰੀਆ ਤੋਂ ਕੈਲਸ਼ੀਅਮ ਫਲੋਰਾਈਡ (CaF2), ਸਿਲੀਕਾਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ (SiO2), ਟੈਲਕ ਪਾਊਡਰ (Mg3SiH1(Mg3SiH1) ਸਨ। ) 2) ਅਤੇ ਰੂਟਾਈਲ (TiO2) ਜੋਸ, ਨਾਈਜੀਰੀਆ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਕਾਓਲਿਨ (Al2(OH)4Si2O5) ਕੰਕਰਾ, ਕਾਤਸੀਨਾ ਰਾਜ, ਨਾਈਜੀਰੀਆ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਸਿਲੀਕੇਟ ਨੂੰ ਬਾਈਂਡਰ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਭਾਰਤ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਾਰਣੀ 1 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਸੰਵਿਧਾਨਕ ਆਕਸਾਈਡਾਂ ਨੂੰ ਇੱਕ ਡਿਜੀਟਲ ਸੰਤੁਲਨ 'ਤੇ ਸੁਤੰਤਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਤੋਲਿਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਫਿਰ ਇਸਨੂੰ ਇੱਕ ਸਮਾਨ ਅਰਧ-ਠੋਸ ਪੇਸਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੰਡੀਅਨ ਸਟੀਲ ਐਂਡ ਵਾਇਰ ਪ੍ਰੋਡਕਟਸ ਲਿਮਟਿਡ (ISWP) ਤੋਂ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਮਿਕਸਰ (ਮਾਡਲ: 641-048) ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਸਿਲੀਕੇਟ ਬਾਈਂਡਰ (23% ਭਾਰ ਦੁਆਰਾ) ਨਾਲ 30 ਮਿੰਟਾਂ ਲਈ ਮਿਲਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਗਿੱਲੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਬ੍ਰਿਕੇਟਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ ਤੋਂ ਇੱਕ ਸਿਲੰਡਰ ਆਕਾਰ ਵਿੱਚ ਦਬਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ 80 ਤੋਂ 100 ਕਿਲੋਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.2 ਦੇ ਦਬਾਅ 'ਤੇ ਐਕਸਟਰੂਜ਼ਨ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਖੁਆਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਾਇਰ ਫੀਡ ਚੈਂਬਰ ਤੋਂ 3.15mm ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ ਸਟੇਨਲੈੱਸ ਵਾਇਰ ਐਕਸਟਰੂਡਰ ਵਿੱਚ ਖੁਆਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਪ੍ਰਵਾਹ ਨੂੰ ਇੱਕ ਨੋਜ਼ਲ/ਡਾਈ ਸਿਸਟਮ ਦੁਆਰਾ ਖੁਆਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਣ ਲਈ ਐਕਸਟਰੂਡਰ ਵਿੱਚ ਟੀਕਾ ਲਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।1.70 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦਾ ਇੱਕ ਕਵਰੇਜ ਫੈਕਟਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਜਿੱਥੇ ਕਵਰੇਜ ਫੈਕਟਰ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਿਆਸ ਅਤੇ ਸਟ੍ਰੈਂਡ ਵਿਆਸ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤ ਵਜੋਂ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਫਿਰ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ 24 ਘੰਟਿਆਂ ਲਈ ਹਵਾ ਵਿੱਚ ਸੁੱਕਿਆ ਗਿਆ ਅਤੇ ਫਿਰ 2 ਘੰਟਿਆਂ ਲਈ 150-250 °C\(-\) 'ਤੇ ਇੱਕ ਮਫਲ ਫਰਨੇਸ (ਮਾਡਲ PH-248-0571/5448) ਵਿੱਚ ਕੈਲਸਾਈਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ।ਵਹਾਅ ਦੀ ਖਾਰੀਤਾ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ ਸਮੀਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ।(1) 26;
ਰਚਨਾਵਾਂ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਵਹਾਅ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੀ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਥਰਮੋਗ੍ਰਾਵੀਮੀਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ (TGA) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਲਗਭਗ 25.33 ਮਿਲੀਗ੍ਰਾਮ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦਾ ਨਮੂਨਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਲਈ TGA ਵਿੱਚ ਲੋਡ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਪ੍ਰਯੋਗ 60 ਮਿਲੀਲੀਟਰ/ਮਿੰਟ ਦੀ ਦਰ ਨਾਲ N2 ਦੇ ਨਿਰੰਤਰ ਵਹਾਅ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਇੱਕ ਅੜਿੱਕੇ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।ਨਮੂਨੇ ਨੂੰ 30°C ਤੋਂ 1000°C ਤੱਕ 10°C/min ਦੀ ਹੀਟਿੰਗ ਦਰ 'ਤੇ ਗਰਮ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਵੈਂਗ ਐਟ ਅਲ.27, ਜ਼ੂ ਐਟ ਅਲ.28 ਅਤੇ ਡਗਵਾ ਐਟ ਅਲ.29 ਦੁਆਰਾ ਦੱਸੇ ਗਏ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਟੀਜੀਏ ਪਲਾਟਾਂ ਤੋਂ ਕੁਝ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਥਰਮਲ ਸੜਨ ਅਤੇ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।
ਸੋਲਡਰਿੰਗ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਦੋ 300 x 60 x 6 mm DSS ਪਲੇਟਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਕਰੋ।V-ਗਰੂਵ ਨੂੰ 3mm ਰੂਟ ਗੈਪ, 2mm ਰੂਟ ਹੋਲ ਅਤੇ 60° ਗਰੂਵ ਐਂਗਲ ਨਾਲ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਸੰਭਾਵਿਤ ਗੰਦਗੀ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਪਲੇਟ ਨੂੰ ਫਿਰ ਐਸੀਟੋਨ ਨਾਲ ਕੁਰਲੀ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E1 ਅਤੇ E2) ਅਤੇ 3.15 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਵਿਆਸ ਵਾਲੇ ਇੱਕ ਹਵਾਲਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (C) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਡਾਇਰੈਕਟ ਕਰੰਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਪੋਲਰਿਟੀ (DCEP) ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਢਾਲ ਵਾਲੇ ਮੈਟਲ ਆਰਕ ਵੈਲਡਰ (SMAW) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪਲੇਟਾਂ ਨੂੰ ਵੇਲਡ ਕਰੋ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਡਿਸਚਾਰਜ ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ (EDM) (ਮਾਡਲ: Excetek-V400) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਟੈਸਟਿੰਗ ਅਤੇ ਖੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਲਈ ਮਸ਼ੀਨ ਵੇਲਡ ਸਟੀਲ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਸਾਰਣੀ 2 ਉਦਾਹਰਨ ਕੋਡ ਅਤੇ ਵਰਣਨ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਾਰਣੀ 3 DSS ਬੋਰਡ ਨੂੰ ਵੇਲਡ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੈਲਡਿੰਗ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨੂੰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਸਮੀਕਰਨ (2) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਸੰਬੰਧਿਤ ਹੀਟ ਇੰਪੁੱਟ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
110 ਤੋਂ 800 nm ਦੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ SQL ਡਾਟਾਬੇਸ ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ Bruker Q8 MAGELLAN ਆਪਟੀਕਲ ਐਮੀਸ਼ਨ ਸਪੈਕਟਰੋਮੀਟਰ (OES) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1, E2 ਅਤੇ C ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਬੇਸ ਮੈਟਲ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।ਟੈਸਟ ਦੇ ਅਧੀਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਤੇ ਧਾਤੂ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਤਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ ਇੱਕ ਚੰਗਿਆੜੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲੀ ਊਰਜਾ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਭਾਗਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਨਮੂਨਾ ਵਾਸ਼ਪੀਕਰਨ ਅਤੇ ਛਿੜਕਾਅ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਉਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਪਰਮਾਣੂ ਉਤੇਜਨਾ, ਜੋ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਖਾਸ ਰੇਖਾ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ 31 ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਦਾ ਹੈ।ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਗੁਣਾਤਮਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਲਈ, ਫੋਟੋਮਲਟੀਪਲੇਅਰ ਟਿਊਬ ਹਰੇਕ ਤੱਤ ਲਈ ਇੱਕ ਸਮਰਪਿਤ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ ਨੂੰ ਮਾਪਦਾ ਹੈ।ਫਿਰ ਬਰਾਬਰ ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੰਬਰ (PREN) ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ ਸਮੀਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰੋ।(3) ਅਨੁਪਾਤ 32 ਅਤੇ WRC 1992 ਸਟੇਟ ਡਾਇਗਰਾਮ ਨੂੰ ਸਮੀਕਰਨਾਂ ਤੋਂ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ ਅਤੇ ਨਿਕਲ ਦੇ ਬਰਾਬਰ (ਕ੍ਰੇਕ ਅਤੇ ਨੀਕ) ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।(4) ਅਤੇ (5) ਕ੍ਰਮਵਾਰ 33 ਅਤੇ 34 ਹਨ;
ਨੋਟ ਕਰੋ ਕਿ PREN ਸਿਰਫ਼ ਤਿੰਨ ਮੁੱਖ ਤੱਤਾਂ Cr, Mo ਅਤੇ N ਦੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਧਿਆਨ ਵਿੱਚ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਫੈਕਟਰ x 16-30 ਦੀ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਹੈ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, x ਨੂੰ 16, 20, ਜਾਂ 30 ਦੀ ਸੂਚੀ ਵਿੱਚੋਂ ਚੁਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲਾਂ ਦੀ ਖੋਜ ਵਿੱਚ, PREN35,36 ਮੁੱਲਾਂ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਲਈ 20 ਦਾ ਇੱਕ ਵਿਚਕਾਰਲਾ ਮੁੱਲ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ASTM E8-21 ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ 0.5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ/ਮਿੰਟ ਦੀ ਇੱਕ ਸਟ੍ਰੇਨ ਰੇਟ 'ਤੇ ਇੱਕ ਯੂਨੀਵਰਸਲ ਟੈਸਟਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ (ਇਨਸਟ੍ਰੋਨ 8800 UTM) 'ਤੇ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਏ ਗਏ ਵੈਲਡੇਡ ਜੋੜਾਂ ਦਾ ਟੈਂਸਿਲ ਟੈਸਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਟੈਨਸਾਈਲ ਤਾਕਤ (UTS), 0.2% ਸ਼ੀਅਰ ਉਪਜ ਤਾਕਤ (YS), ਅਤੇ ਲੰਬਾਈ ਦੀ ਗਣਨਾ ASTM E8-2137 ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।
ਕਠੋਰਤਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ DSS 2205 ਵੇਲਡਮੈਂਟਾਂ ਨੂੰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਗਰਿੱਟ ਆਕਾਰਾਂ (120, 220, 320, 400, 600, 800, 1000 ਅਤੇ 1200) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪਹਿਲਾਂ ਜ਼ਮੀਨੀ ਅਤੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਵੇਲਡ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1, E2 ਅਤੇ C ਨਾਲ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸਨ। ਕਠੋਰਤਾ ਨੂੰ 1 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਅੰਤਰਾਲ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਤੋਂ ਬੇਸ ਮੈਟਲ ਤੱਕ ਦਸ (10) ਪੁਆਇੰਟਾਂ 'ਤੇ ਮਾਪਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਐਕਸ-ਰੇ ਡਿਫ੍ਰੈਕਟੋਮੀਟਰ (D8 ਡਿਸਕਵਰ, ਬਰੂਕਰ, ਜਰਮਨੀ) 1.5406 Å ਦੀ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ 3 ਦੀ ਸਕੈਨ ਦਰ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ 8.04 keV ਦੀ ਊਰਜਾ ਨਾਲ ਡਾਟਾ ਇਕੱਠਾ ਕਰਨ ਅਤੇ Fe-ਫਿਲਟਰਡ Cu-K-α ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਲਈ Bruker XRD ਕਮਾਂਡਰ ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਨਾਲ ਸੰਰਚਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ। DSS ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ E1, E2 ਅਤੇ C ਅਤੇ BM ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ ਦੇ ਨਾਲ ਪੜਾਅ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਲਈ ° ਸਕੈਨ ਰੇਂਜ (2θ) ਮਿਨ-1 38 ਤੋਂ 103° ਹੈ।ਲੂਟਰੋਟੀ 39 ਦੁਆਰਾ ਵਰਣਿਤ MAUD ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਰਾਇਟਵੇਲਡ ਰਿਫਾਈਨਮੈਂਟ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਸੰਘਟਕ ਪੜਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸੂਚੀਬੱਧ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ASTM E1245-03 ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਇਮੇਜ J40 ਸੌਫਟਵੇਅਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1, E2 ਅਤੇ C ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਮਾਈਕਰੋਸਕੋਪਿਕ ਚਿੱਤਰਾਂ ਦਾ ਇੱਕ ਮਾਤਰਾਤਮਕ ਮੈਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਫੇਰਾਈਟ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ ਵਾਲੀਅਮ ਫਰੈਕਸ਼ਨ ਦੀ ਗਣਨਾ ਕਰਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ, ਉਹਨਾਂ ਦਾ ਔਸਤ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਵਿਵਹਾਰ ਸਾਰਣੀ ਵਿੱਚ ਦਿੱਤੇ ਗਏ ਹਨ।5. ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਨਮੂਨਾ ਸੰਰਚਨਾ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।6d, ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਨਾਲ PM ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ 'ਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪੀ (OM) ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੂੰ 120, 220, 320, 400, 600, 800, 1000, 1200, 1500, ਅਤੇ 2000 ਗ੍ਰਿਟ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਸੈਂਡਪੇਪਰ ਨਾਲ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੂੰ ਫਿਰ 10 ਸਕਿੰਟ ਲਈ 5 V ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 10% ਜਲਮਈ ਆਕਸਾਲਿਕ ਐਸਿਡ ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੱਕਾਸ਼ੀ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਅਤੇ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਲਈ ਇੱਕ LEICA DM 2500 M ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ 'ਤੇ ਰੱਖਿਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਹੋਰ ਪਾਲਿਸ਼ਿੰਗ SEM-BSE ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਲਈ 2500 ਗਰਿੱਟ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਪੇਪਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇੱਕ EMF ਨਾਲ ਲੈਸ ਅਲਟਰਾ-ਹਾਈ ਰੈਜ਼ੋਲਿਊਸ਼ਨ ਫੀਲਡ ਐਮੀਸ਼ਨ ਸਕੈਨਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ (SEM) (FEI NOVA NANOSEM 430, USA) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਲਈ ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ।ਇੱਕ 20 × 10 × 6 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦਾ ਨਮੂਨਾ 120 ਤੋਂ 2500 ਤੱਕ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ SiC ਸੈਂਡਪੇਪਰਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। ਨਮੂਨੇ 15 s ਲਈ 5 V ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ 40 ਗ੍ਰਾਮ NaOH ਅਤੇ 100 ਮਿਲੀਲੀਟਰ ਡਿਸਟਿਲਡ ਵਾਟਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨੱਕੇ ਹੋਏ ਸਨ, ਅਤੇ ਫਿਰ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਨਾਲ ਚੈਂਬਰ ਨੂੰ ਸਾਫ਼ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਕਰਨ ਲਈ, SEM ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਸਥਿਤ ਇੱਕ ਨਮੂਨਾ ਧਾਰਕ 'ਤੇ ਮਾਊਂਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਇੱਕ ਗਰਮ ਟੰਗਸਟਨ ਫਿਲਾਮੈਂਟ ਦੁਆਰਾ ਉਤਪੰਨ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨ ਬੀਮ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਸਤਾਰਾਂ 'ਤੇ ਚਿੱਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਨਮੂਨੇ 'ਤੇ ਇੱਕ ਗਰੇਟਿੰਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ EMF ਨਤੀਜੇ Roche et al ਦੀਆਂ ਵਿਧੀਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ।41 ਅਤੇ ਮੋਕੋਬੀ 42 .
ASTM G59-9743 ਅਤੇ ASTM G5-1444 ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਡਾਇਨਾਮਿਕ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ 3.5% NaCl ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ E1, E2 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਕੀਤੀਆਂ DSS 2205 ਪਲੇਟਾਂ ਦੀ ਗਿਰਾਵਟ ਸਮਰੱਥਾ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਟੈਸਟ ਕੰਪਿਊਟਰ-ਨਿਯੰਤਰਿਤ Potentiostat-Galvanostat/ZRA ਉਪਕਰਨ (ਮਾਡਲ: PC4/750, Gamry Instruments, USA) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਟੈਸਟਿੰਗ ਤਿੰਨ-ਇਲੈਕਟਰੋਡ ਟੈਸਟ ਸੈੱਟਅੱਪ 'ਤੇ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ: DSS 2205 ਵਰਕਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਸੈਚੁਰੇਟਿਡ ਕੈਲੋਮਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (SCE) ਰੈਫਰੈਂਸ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਰਾਡ ਨੂੰ ਕਾਊਂਟਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ।ਮਾਪ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਸੈੱਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਹੱਲ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਦਾ ਖੇਤਰ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦਾ ਖੇਤਰ 0.78 cm2 ਸੀ।1.0 mV/s ਦੀ ਸਕੈਨ ਦਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰੀ-ਸਥਿਰ OCP (OCP ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ) 'ਤੇ -1.0 V ਤੋਂ +1.6 V ਸੰਭਾਵੀ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਮਾਪ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।
E1, E2, ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨਾਲ ਬਣੇ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕਰਨ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਪਿਟਿੰਗ ਦੇ ਨਾਜ਼ੁਕ ਤਾਪਮਾਨ ਟੈਸਟ 3.5% NaCl ਵਿੱਚ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ।ਸਪੱਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ PB (ਪੈਸਿਵ ਅਤੇ ਟ੍ਰਾਂਸਪੇਸਿਵ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ), ਅਤੇ E1, E2, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ C ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਲਡ ਕੀਤੇ ਨਮੂਨੇ ਵਿੱਚ ਪਿਟਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ 'ਤੇ। ਇਸਲਈ, ਵੈਲਡਿੰਗ ਖਪਤਕਾਰਾਂ ਦੀ ਪਿਟਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ ਸਹੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਲਈ ਸੀਪੀਟੀ ਮਾਪ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ।CPT ਟੈਸਟਿੰਗ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਵੇਲਡ ਰਿਪੋਰਟਾਂ 45 ਅਤੇ ASTM G150-1846 ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਹਰੇਕ ਸਟੀਲ ਤੋਂ (S-110A, E1-110A, E2-90A), 1 cm2 ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਾਲੇ ਨਮੂਨੇ ਕੱਟੇ ਗਏ ਸਨ, ਬੇਸ, ਵੇਲਡ ਅਤੇ HAZ ਜ਼ੋਨ ਸਮੇਤ।ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੂੰ ਮਿਆਰੀ ਮੈਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਨਮੂਨਾ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਦੀਆਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਸੈਂਡਪੇਪਰ ਅਤੇ 1 µm ਐਲੂਮਿਨਾ ਪਾਊਡਰ ਸਲਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਪਾਲਿਸ਼ ਕਰਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੂੰ ਅਲਟਰਾਸੋਨਿਕ ਤੌਰ 'ਤੇ 2 ਮਿੰਟ ਲਈ ਐਸੀਟੋਨ ਵਿੱਚ ਸਾਫ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਇੱਕ 3.5% NaCl ਟੈਸਟ ਹੱਲ CPT ਟੈਸਟ ਸੈੱਲ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਗਿਆ ਸੀ ਅਤੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਤਾਪਮਾਨ ਨੂੰ ਥਰਮੋਸਟੈਟ (Neslab RTE-111) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ 25°C ਤੱਕ ਐਡਜਸਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।25 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਦੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਟੈਸਟ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪਹੁੰਚਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਆਰ ਗੈਸ ਨੂੰ 15 ਮਿੰਟ ਲਈ ਉਡਾ ਦਿੱਤਾ ਗਿਆ, ਫਿਰ ਨਮੂਨੇ ਸੈੱਲ ਵਿੱਚ ਰੱਖੇ ਗਏ, ਅਤੇ OCF ਨੂੰ 15 ਮਿੰਟ ਲਈ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ।ਨਮੂਨੇ ਨੂੰ ਫਿਰ 25°C ਦੇ ਸ਼ੁਰੂਆਤੀ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ 0.3 V ਦੀ ਵੋਲਟੇਜ ਲਗਾ ਕੇ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਕਰੰਟ ਨੂੰ 10 ਮਿੰਟ 45 ਲਈ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਘੋਲ ਨੂੰ 1°C/min ਤੋਂ 50°C ਦੀ ਦਰ ਨਾਲ ਗਰਮ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰੋ।ਟੈਸਟ ਘੋਲ ਨੂੰ ਗਰਮ ਕਰਨ ਦੇ ਦੌਰਾਨ, ਤਾਪਮਾਨ ਸੈਂਸਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਘੋਲ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਨਿਰੰਤਰ ਨਿਗਰਾਨੀ ਕਰਨ ਅਤੇ ਸਮੇਂ ਅਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਡੇਟਾ ਨੂੰ ਸਟੋਰ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਸਟੈਟ/ਗੈਲਵੈਨੋਸਟੈਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਇੱਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨੂੰ ਕਾਊਂਟਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਸਾਰੀਆਂ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਨੂੰ Ag/AgCl ਸੰਦਰਭ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਆਰਗਨ ਪਰਜ ਪੂਰੇ ਟੈਸਟ ਦੌਰਾਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।
ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.1 ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਖਾਰੀ (E1) ਅਤੇ ਤੇਜ਼ਾਬੀ (E2) ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਫਲਕਸ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ F1 ਅਤੇ F2 ਦੀ ਰਚਨਾ (ਭਾਰ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਤ ਵਿੱਚ) ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਵਹਾਅ ਦੀ ਮੂਲਤਾ ਸੂਚਕਾਂਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਧਾਤੂ ਸੰਬੰਧੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਅਨੁਮਾਨ ਲਗਾਉਣ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।F1 E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦਾ ਇੱਕ ਹਿੱਸਾ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਵਾਹ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਇਸਦਾ ਮੂਲ ਸੂਚਕਾਂਕ > 1.2 (ਭਾਵ 2.40), ਅਤੇ F2 ਉਹ ਪ੍ਰਵਾਹ ਹੈ ਜੋ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਨੂੰ ਇਸਦੀ ਮੂਲਤਾ ਕਾਰਨ ਐਸਿਡ ਫਲਕਸ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਸੂਚਕਾਂਕ <0.9 (ਭਾਵ 2.40)।0.40)।ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹੈ ਕਿ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ ਮੂਲ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨਾਲ ਲੇਪ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ਾਬ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨਾਲ ਲੇਪ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨਾਲੋਂ ਬਿਹਤਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ।ਇਹ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਲਈ ਪ੍ਰਵਾਹ ਰਚਨਾ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਵਿੱਚ ਮੂਲ ਆਕਸਾਈਡ ਦੇ ਦਬਦਬੇ ਦਾ ਇੱਕ ਕਾਰਜ ਹੈ।ਇਸ ਦੇ ਉਲਟ, E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਸਲੈਗ ਹਟਾਉਣਾ (ਵੱਖ ਕਰਨਯੋਗਤਾ) ਅਤੇ ਘੱਟ ਸਪੈਟਰ ਰੂਟਾਈਲ ਦੀ ਉੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਐਸਿਡਿਕ ਫਲੈਕਸ ਕੋਟਿੰਗ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਹੈ।ਇਹ ਨਿਰੀਖਣ ਗਿੱਲ 47 ਦੀਆਂ ਖੋਜਾਂ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਸਲੈਗ ਡੀਟੈਚਬਿਲਟੀ 'ਤੇ ਰੂਟਾਈਲ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਤੇ ਐਸਿਡ ਫਲੈਕਸ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ ਦੇ ਘੱਟ ਸਪੈਟਟਰ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਸਲੈਗ ਫ੍ਰੀਜ਼ਿੰਗ ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1 ਅਤੇ E2 ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਵਿੱਚ ਕਾਓਲਿਨ ਨੂੰ ਇੱਕ ਲੁਬਰੀਕੈਂਟ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਟੈਲਕ ਪਾਊਡਰ ਨੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਬਾਹਰੀ ਸਮਰੱਥਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ ਹੈ।ਫਲੈਕਸ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਵਿੱਚ ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਸਿਲੀਕੇਟ ਬਾਈਂਡਰ ਬਿਹਤਰ ਚਾਪ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ, ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਚਿਪਕਣ ਵਾਲੇ ਗੁਣਾਂ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਵੇਲਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਵਿੱਚ ਸਲੈਗ ਵੱਖ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਕਿਉਂਕਿ CaCO3 ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨੈੱਟ ਬ੍ਰੇਕਰ (ਸਲੈਗ ਬ੍ਰੇਕਰ) ਹੈ ਅਤੇ CaO ਵਿੱਚ ਥਰਮਲ ਸੜਨ ਅਤੇ ਲਗਭਗ 44% CO2 ਦੇ ਕਾਰਨ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਬਹੁਤ ਸਾਰਾ ਧੂੰਆਂ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ, TiO2 (ਇੱਕ ਸ਼ੁੱਧ ਬਿਲਡਰ / ਸਲੈਗ ਸਾਬਕਾ ਵਜੋਂ) ਮਾਤਰਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਧੂੰਏਂ ਦਾਵੈਲਡਿੰਗ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਜਿੰਗ ਐਟ ਅਲ.48 ਦੁਆਰਾ ਸੁਝਾਏ ਅਨੁਸਾਰ ਸਲੈਗ ਡੀਟੈਚਬਿਲਟੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰੋ।ਫਲੋਰਾਈਨ ਫਲੈਕਸ (CaF2) ਇੱਕ ਰਸਾਇਣਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਹਮਲਾਵਰ ਪ੍ਰਵਾਹ ਹੈ ਜੋ ਸੋਲਰ ਦੀ ਸਫਾਈ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ।Jastrzębska et al.49 ਨੇ ਵੇਲਡ ਸਫਾਈ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 'ਤੇ ਇਸ ਫਲੈਕਸ ਰਚਨਾ ਦੇ ਫਲੋਰਾਈਡ ਰਚਨਾ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤੀ।ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਚਾਪ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ, ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਜੋੜਨ, ਸਲੈਗ ਬਣਾਉਣ, ਉਤਪਾਦਕਤਾ ਵਧਾਉਣ, ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਪੂਲ 50 ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਵਹਾਅ ਨੂੰ ਵੇਲਡ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
TGA-DTG ਵਕਰ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।2a ਅਤੇ 2b ਇੱਕ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਵਿੱਚ 30-1000°C ਦੀ ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ ਵਿੱਚ ਗਰਮ ਹੋਣ 'ਤੇ ਤਿੰਨ-ਪੜਾਅ ਦਾ ਭਾਰ ਘਟਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਅੰਕੜੇ 2a ਅਤੇ b ਵਿੱਚ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਬੁਨਿਆਦੀ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ਾਬ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਲਈ, TGA ਕਰਵ ਸਿੱਧਾ ਹੇਠਾਂ ਡਿੱਗਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਇਹ ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਧੁਰੇ ਦੇ ਸਮਾਨਾਂਤਰ ਨਹੀਂ ਹੋ ਜਾਂਦਾ, ਕ੍ਰਮਵਾਰ 866.49°C ਅਤੇ 849.10°C ਦੇ ਆਸਪਾਸ।Fig. 2a ਅਤੇ 2b ਵਿੱਚ ਟੀਜੀਏ ਕਰਵ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਵਿੱਚ 1.30% ਅਤੇ 0.81% ਦਾ ਭਾਰ ਘਟਣਾ ਫਲੈਕਸ ਕੰਪੋਨੈਂਟਸ ਦੁਆਰਾ ਲੀਨ ਕੀਤੀ ਨਮੀ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਸਤਹ ਦੀ ਨਮੀ ਦੇ ਭਾਫ਼ ਅਤੇ ਡੀਹਾਈਡਰੇਸ਼ਨ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ।ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਦੂਜੇ ਅਤੇ ਤੀਜੇ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਮੁੱਖ ਸੜਨ।2a ਤਾਪਮਾਨ ਰੇਂਜ 619.45°C–766.36°C ਅਤੇ 766.36°C–866.49°C ਵਿੱਚ ਵਾਪਰਿਆ, ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਤਤਾ 2.84 ਅਤੇ 9.48% ਸੀ।, ਕ੍ਰਮਵਾਰ.ਜਦੋਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 7b ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ਾਬੀ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਲਈ, ਜੋ ਕਿ 665.23°C–745.37°C ਅਤੇ 745.37°C–849.10°C ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਸਨ, ਉਹਨਾਂ ਦਾ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਦਾ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਤ ਕ੍ਰਮਵਾਰ 0.81 ਅਤੇ 6.73% ਸੀ, ਜਿਸਦਾ ਕਾਰਨ ਥਰਮਲ ਸੜਨ.ਕਿਉਂਕਿ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਹਿੱਸੇ ਅਕਾਰਬ ਹਨ, ਇਸਲਈ ਅਸਥਿਰ ਪ੍ਰਵਾਹ ਮਿਸ਼ਰਣ ਤੱਕ ਸੀਮਿਤ ਹਨ।ਇਸ ਲਈ, ਕਮੀ ਅਤੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਭਿਆਨਕ ਹਨ.ਇਹ ਬਾਲੋਗੁਨ ਐਟ ਅਲ.51, ਕਮਲੀ ਐਟ ਅਲ.52 ਅਤੇ ਅਡੇਲੇਕੇ ਐਟ ਅਲ.53 ਦੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਹੈ।ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਦੇਖੇ ਗਏ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਪੁੰਜ ਨੁਕਸਾਨ ਦਾ ਜੋੜ।2a ਅਤੇ 2b ਕ੍ਰਮਵਾਰ 13.26% ਅਤੇ 8.43% ਹੈ।ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਘੱਟ ਪੁੰਜ ਨੁਕਸਾਨ।2b, TiO2 ਅਤੇ SiO2 (ਕ੍ਰਮਵਾਰ 1843 ਅਤੇ 1710°C) ਦੇ ਉੱਚ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂਆਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਮੁੱਖ ਆਕਸਾਈਡਾਂ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਹੈ ਜੋ ਪ੍ਰਵਾਹ ਮਿਸ਼ਰਣ 54,55 ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ TiO2 ਅਤੇ SiO2 ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਹਨ।ਪਿਘਲਣ ਦਾ ਬਿੰਦੂ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਆਕਸਾਈਡ: ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵਾਹ ਨਮੂਨੇ ਵਿੱਚ CaCO3 (825 °C)।2a56.ਪ੍ਰਵਾਹ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਆਕਸਾਈਡਾਂ ਦੇ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਵਿੱਚ ਇਹ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਸ਼ੀ ਐਟ ਅਲ.54, ਰਿੰਗਡੇਲਨ ਐਟ ਅਲ.55 ਅਤੇ ਡੂ ਐਟ ਅਲ.56 ਦੁਆਰਾ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤੀਆਂ ਗਈਆਂ ਹਨ।Fig. 2a ਅਤੇ 2b ਵਿੱਚ ਲਗਾਤਾਰ ਭਾਰ ਘਟਾਉਣ ਨੂੰ ਦੇਖਦੇ ਹੋਏ, ਇਹ ਸਿੱਟਾ ਕੱਢਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਇੱਕ-ਪੜਾਅ ਦੇ ਸੜਨ ਤੋਂ ਗੁਜ਼ਰਦੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ Brown57 ਦੁਆਰਾ ਸੁਝਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ ਨੂੰ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਡੈਰੀਵੇਟਿਵ ਕਰਵ (wt%) ਤੋਂ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।2 ਏ ਅਤੇ ਬੀ.ਕਿਉਂਕਿ ਟੀਜੀਏ ਕਰਵ ਉਸ ਖਾਸ ਤਾਪਮਾਨ ਦਾ ਸਹੀ ਵਰਣਨ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ ਜਿਸ 'ਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਪੜਾਅ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਗੁਜ਼ਰਦੀ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਟੀਜੀਏ ਡੈਰੀਵੇਟਿਵ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਪ੍ਰਵਾਹ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਐਂਡੋਥਰਮਿਕ ਪੀਕ ਵਜੋਂ ਹਰੇਕ ਵਰਤਾਰੇ (ਪੜਾਅ ਤਬਦੀਲੀ) ਦੇ ਸਹੀ ਤਾਪਮਾਨ ਮੁੱਲ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
TGA-DTG ਕਰਵ (a) E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਕੋਟਿੰਗ ਲਈ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਵਾਹ ਅਤੇ (b) E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਕੋਟਿੰਗ ਲਈ ਤੇਜ਼ਾਬ ਦੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਦਾ ਥਰਮਲ ਸੜਨ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।
ਟੇਬਲ 4 ਸਪੈਕਟ੍ਰੋਫੋਟੋਮੈਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ DSS 2205 ਬੇਸ ਮੈਟਲ ਅਤੇ E1, E2 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਏ ਗਏ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ SEM-EDS ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।E1 ਅਤੇ E2 ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਕਿ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ (Cr) ਦੀ ਸਮਗਰੀ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ 18.94 ਅਤੇ 17.04% ਤੱਕ ਘਟ ਗਈ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ (Mo) ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਕ੍ਰਮਵਾਰ 0.06 ਅਤੇ 0.08% ਸੀ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ E1 ਅਤੇ E2 ਵਾਲੇ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਮੁੱਲ ਘੱਟ ਹਨ।ਇਹ SEM-EDS ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਤੋਂ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਲਈ ਗਣਨਾ ਕੀਤੇ PREN ਮੁੱਲ ਦੇ ਨਾਲ ਥੋੜ੍ਹਾ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਲਈ, ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਪਿਟਿੰਗ ਘੱਟ PREN ਮੁੱਲਾਂ (E1 ਅਤੇ E2 ਤੋਂ ਵੇਲਡ) ਦੇ ਨਾਲ ਪੜਾਅ 'ਤੇ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਮੂਲ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਇਹ ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ ਅਲਾਏ ਦੀ ਕਮੀ ਅਤੇ ਸੰਭਾਵਤ ਵਰਖਾ ਦਾ ਸੰਕੇਤ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1 ਅਤੇ E2 ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਘੱਟ ਪਿਟਿੰਗ ਬਰਾਬਰ ਮੁੱਲਾਂ (PREN) ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ Cr ਅਤੇ Mo ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਕਮੀ ਨੂੰ ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜੋ ਹਮਲਾਵਰ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਣਾਈ ਰੱਖਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸਮੱਸਿਆ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਕਲੋਰਾਈਡ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ.- ਵਾਤਾਵਰਨ ਰੱਖਣ ਵਾਲਾ.11.14% ਦੀ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਉੱਚ ਨਿਕਲ (Ni) ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਮੈਂਗਨੀਜ਼ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਮਨਜ਼ੂਰ ਸੀਮਾ ਨੇ ਸਮੁੰਦਰੀ ਪਾਣੀ ਦੀ ਨਕਲ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਗਏ ਵੇਲਡਮੈਂਟਾਂ ਦੀਆਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 'ਤੇ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪਾਇਆ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ (ਚਿੱਤਰ 3. ).ਗੰਭੀਰ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਹਾਲਤਾਂ ਵਿੱਚ DSS ਵੇਲਡ ਬਣਤਰਾਂ ਦੀਆਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ 'ਤੇ ਉੱਚ ਨਿੱਕਲ ਅਤੇ ਮੈਂਗਨੀਜ਼ ਰਚਨਾਵਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ 'ਤੇ ਯੁਆਨ ਅਤੇ Oy58 ਅਤੇ Jing et al.48 ਦੇ ਕੰਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਏ ਗਏ ਸਨ।
(a) UTS ਅਤੇ 0.2% sag YS ਅਤੇ (b) ਇਕਸਾਰ ਅਤੇ ਪੂਰੀ ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਮਿਆਰੀ ਵਿਵਹਾਰ ਲਈ ਤਨਾਅ ਦੇ ਟੈਸਟ ਦੇ ਨਤੀਜੇ।
90 ਏ ਅਤੇ 110 ਏ ਦੇ ਦੋ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟਾਂ 'ਤੇ ਵਿਕਸਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E1 ਅਤੇ E2) ਅਤੇ ਵਪਾਰਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉਪਲਬਧ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (C) ਤੋਂ ਬਣੇ ਬੇਸ ਮਟੀਰੀਅਲ (BM) ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਤਾਕਤ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। 3(a) ਅਤੇ (b) ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਲੰਬਾਈ ਅਤੇ ਮਿਆਰੀ ਵਿਵਹਾਰ ਡੇਟਾ ਦੇ ਨਾਲ, UTS, YS ਨੂੰ 0.2% ਆਫਸੈੱਟ ਦੇ ਨਾਲ ਦਿਖਾਓ।UTS ਅਤੇ YS ਆਫਸੈੱਟ ਨਤੀਜੇ 0.2% ਅੰਜੀਰ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ।3a ਨਮੂਨਾ ਨੰਬਰ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਮੁੱਲ ਦਿਖਾਓ।1 (BM), ਨਮੂਨਾ ਨੰ.3 (ਵੈਲਡ E1), ਨਮੂਨਾ ਨੰ.5 (ਵੈਲਡ ਈ2) ਅਤੇ ਨਮੂਨਾ ਨੰ.6 (C ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡ) ਕ੍ਰਮਵਾਰ 878 ਅਤੇ 616 MPa, 732 ਅਤੇ 497 MPa, 687 ਅਤੇ 461 MPa ਅਤੇ 769 ਅਤੇ 549 MPa, ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਮਿਆਰੀ ਵਿਵਹਾਰ ਹਨ।ਅੰਜੀਰ ਤੋਂ.110 ਏ) ਕ੍ਰਮਵਾਰ 1, 2, 3, 6 ਅਤੇ 7 ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਹਨ, ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਤਨਾਅ ਟੈਸਟ ਵਿੱਚ 450 MPa ਤੋਂ ਵੱਧ ਅਤੇ ਗਰੋਕੀ 32 ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਸਤਾਵਿਤ ਤਣਾਤਮਕ ਟੈਸਟ ਵਿੱਚ 620 MPa ਤੋਂ ਵੱਧ ਦੀ ਸਿਫ਼ਾਰਸ਼ ਕੀਤੀ ਗਈ ਟੈਂਸਿਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ।ਨਮੂਨੇ ਨੰ. 2, ਨੰ. 3, ਨੰ. 4, ਨੰ. 5, ਨੰ. 6 ਅਤੇ ਨੰ. 7, 90 ਏ ਅਤੇ 110 ਏ ਦੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟਾਂ ਤੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1, E2 ਅਤੇ C ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੀ ਲੰਬਾਈ, ਕ੍ਰਮਵਾਰ, ਪਲਾਸਟਿਕਤਾ ਅਤੇ ਇਮਾਨਦਾਰੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ.ਬੇਸ ਧਾਤ ਨਾਲ ਸਬੰਧ.ਹੇਠਲੇ ਲੰਬਾਈ ਨੂੰ ਸੰਭਵ ਵੈਲਡਿੰਗ ਨੁਕਸ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪ੍ਰਵਾਹ (ਚਿੱਤਰ 3b) ਦੀ ਰਚਨਾ ਦੁਆਰਾ ਸਮਝਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ।ਇਹ ਸਿੱਟਾ ਕੱਢਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ E1, E2 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਾਲੇ BM ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਅਤੇ ਵੈਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਦੀ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਉੱਚ ਨਿਕੇਲ ਸਮੱਗਰੀ (ਸਾਰਣੀ 4) ਦੇ ਕਾਰਨ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਤਣਾਅ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਪਰ ਇਹ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵੈਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਦੇਖੀ ਗਈ ਸੀ।ਘੱਟ ਪ੍ਰਭਾਵੀ E2 ਪ੍ਰਵਾਹ ਦੀ ਤੇਜ਼ਾਬ ਰਚਨਾ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।Gunn59 ਨੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀਆਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਸੁਧਾਰਨ ਅਤੇ ਪੜਾਅ ਸੰਤੁਲਨ ਅਤੇ ਤੱਤ ਦੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨ 'ਤੇ ਨਿਕਲ ਅਲੌਇਸ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕੀਤਾ।ਇਹ ਫਿਰ ਤੋਂ ਇਸ ਤੱਥ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਬੇਸਿਕ ਫਲਕਸ ਕੰਪੋਜੀਸ਼ਨਾਂ ਤੋਂ ਬਣੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਿੱਚ ਐਸਿਡਿਕ ਫਲੈਕਸ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਤੋਂ ਬਣੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨਾਲੋਂ ਬਿਹਤਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਬੈਂਗ ਐਟ ਅਲ.60 ਦੁਆਰਾ ਸੁਝਾਏ ਗਏ ਹਨ।ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਨਵੇਂ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E1) ਦੇ ਚੰਗੇ ਟੈਂਸਿਲ ਗੁਣਾਂ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਬਾਰੇ ਮੌਜੂਦਾ ਗਿਆਨ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।
ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.ਅੰਕੜੇ 4a ਅਤੇ 4b ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ E1, E2 ਅਤੇ C ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਵਿਕਰਜ਼ ਮਾਈਕ੍ਰੋਹਾਰਡਨੈੱਸ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ। 4a ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਇੱਕ ਦਿਸ਼ਾ (WZ ਤੋਂ BM ਤੱਕ), ਅਤੇ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਕਠੋਰਤਾ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।4b ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਦੋਵਾਂ ਪਾਸਿਆਂ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਠੋਰਤਾ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਨਮੂਨੇ ਨੰਬਰ 2, 3, 4 ਅਤੇ 5 ਦੀ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲ, ਜੋ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਲਡ ਕੀਤੇ ਜੋੜ ਹਨ, ਵੈਲਡਿੰਗ ਚੱਕਰਾਂ ਵਿੱਚ ਠੋਸਤਾ ਦੇ ਦੌਰਾਨ ਮੋਟੇ-ਦਾਣੇਦਾਰ ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ।ਮੋਟੇ-ਦਾਣੇ ਵਾਲੇ HAZ ਅਤੇ ਸਾਰੇ ਨਮੂਨੇ ਨੰਬਰ 2-7 (ਸਾਰਣੀ 2 ਵਿੱਚ ਨਮੂਨਾ ਕੋਡ ਦੇਖੋ) ਦੇ ਮੋਟੇ-ਦਾਣੇ ਵਾਲੇ HAZ ਅਤੇ ਬਾਰੀਕ-ਦਾਣੇ ਵਾਲੇ HAZ ਵਿੱਚ ਕਠੋਰਤਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਤਿੱਖੀ ਵਾਧਾ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਜਿਸ ਨੂੰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਸੰਭਾਵੀ ਤਬਦੀਲੀ ਦੁਆਰਾ ਸਮਝਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ-ਵੇਲਡ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵੇਲਡ ਨਿਕਾਸ ਨਾਲ ਭਰਪੂਰ ਹੁੰਦੇ ਹਨ (Cr23C6)।ਹੋਰ ਵੈਲਡਿੰਗ ਨਮੂਨਿਆਂ 2, 3, 4 ਅਤੇ 5 ਦੇ ਨਾਲ ਤੁਲਨਾ ਕੀਤੀ ਗਈ, ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਨਮੂਨੇ ਨੰਬਰ 6 ਅਤੇ 7 ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲ।ਉੱਪਰ 4a ਅਤੇ 4b (ਸਾਰਣੀ 2)।ਮੁਹੰਮਦ ਐਟ ਅਲ.61 ਅਤੇ ਨੋਵਾਕੀ ਅਤੇ ਲੂਕੋਜੇ62 ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ, ਇਹ ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਫੈਰਾਈਟ δ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਬਕਾਇਆ ਤਣਾਅ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ ਮੋ ਅਤੇ ਸੀਆਰ ਵਰਗੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਕਮੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।BM ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਸਾਰੇ ਮੰਨੇ ਗਏ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲ ਇਕਸਾਰ ਜਾਪਦੇ ਹਨ।ਵੇਲਡਡ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਕਠੋਰਤਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਵਿੱਚ ਰੁਝਾਨ ਦੂਜੇ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਦੇ ਸਿੱਟੇ 61,63,64 ਦੇ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਹੈ।
DSS ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲ (ਏ) ਵੇਲਡਡ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਅੱਧਾ ਭਾਗ ਅਤੇ (ਬੀ) ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦਾ ਪੂਰਾ ਭਾਗ।
E1, E2 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡਡ DSS 2205 ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪੜਾਅ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸਨ ਅਤੇ ਵਿਭਿੰਨ ਕੋਣ 2\(\theta\) ਲਈ XRD ਸਪੈਕਟਰਾ ਚਿੱਤਰ 5 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ. ਔਸਟੇਨਾਈਟ ਦੀਆਂ ਚੋਟੀਆਂ (\(\gamma\) ) ਅਤੇ ਫੇਰਾਈਟ (\(\ਐਲਫਾ\)) ਪੜਾਵਾਂ ਨੂੰ 43° ਅਤੇ 44° ਦੇ ਵਿਭਿੰਨ ਕੋਣਾਂ 'ਤੇ ਪਛਾਣਿਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ ਇਹ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਵੇਲਡ ਰਚਨਾ ਦੋ-ਪੜਾਅ 65 ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਹੈ।ਕਿ DSS BM ਸਿਰਫ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ (\(\gamma\)) ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ (\(\alpha\)) ਪੜਾਅ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 1 ਅਤੇ 2. 6c, 7c ਅਤੇ 9c ਵਿੱਚ ਪੇਸ਼ ਕੀਤੇ ਗਏ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਨਤੀਜਿਆਂ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ।DSS BM ਨਾਲ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਫੇਰੀਟਿਕ (\(\alpha\)) ਪੜਾਅ ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਤੋਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ C ਵਿੱਚ ਉੱਚੀ ਸਿਖਰ ਇਸਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਸੰਕੇਤ ਹਨ, ਕਿਉਂਕਿ ਇਸ ਪੜਾਅ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ ਸਟੀਲ ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਡੇਵਿਸਨ ਅਤੇ ਰੈੱਡਮੰਡ66 ਕੋਲ ਹੈ। ਕਿਹਾ ਗਿਆ ਹੈ, ਫੈਰਾਈਟ ਸਥਿਰ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਤੱਤਾਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ Cr ਅਤੇ Mo, ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਕਲੋਰਾਈਡ-ਰੱਖਣ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਵਿੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸਥਿਰ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਸਾਰਣੀ 5 ਮਾਤਰਾਤਮਕ ਮੈਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫੀ ਦੁਆਰਾ ਫੇਰਾਈਟ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ C ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਫੈਰੀਟ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ ਵਾਲੀਅਮ ਫਰੈਕਸ਼ਨ ਦਾ ਅਨੁਪਾਤ ਲਗਭਗ (≈1:1) ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।ਵਾਲੀਅਮ ਫਰੈਕਸ਼ਨ ਨਤੀਜੇ (ਟੇਬਲ 5) ਵਿੱਚ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡਮੈਂਟਾਂ ਦੀ ਘੱਟ ਫੇਰਾਈਟ (\(\alpha\)) ਪੜਾਅ ਰਚਨਾ ਇੱਕ ਖਰਾਬ ਵਾਤਾਵਰਣ ਲਈ ਇੱਕ ਸੰਭਾਵੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੁਆਰਾ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ (ਚਿੱਤਰ 10a,b)), ਕਿਉਂਕਿ ਫੈਰਾਈਟ ਪੜਾਅ ਕਲੋਰਾਈਡ-ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਤਣਾਅ ਖੋਰ ਕ੍ਰੈਕਿੰਗ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਦੇਖੇ ਗਏ ਘੱਟ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲਾਂ ਦੁਆਰਾ ਇਸਦੀ ਹੋਰ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।4a,b, ਜੋ ਕਿ ਸਟੀਲ ਬਣਤਰ (ਟੇਬਲ 5) ਵਿੱਚ ਫੇਰਾਈਟ ਦੇ ਘੱਟ ਅਨੁਪਾਤ ਕਾਰਨ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੈਲਡੇਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਅਸੰਤੁਲਿਤ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ (\(\gamma\)) ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ (\(\alpha\)) ਪੜਾਵਾਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਸਟੀਲ ਦੀ ਇਕਸਾਰ ਖੋਰ ਦੇ ਹਮਲੇ ਲਈ ਅਸਲ ਕਮਜ਼ੋਰੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਸਦੇ ਉਲਟ, E1 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ ਦੇ ਨਾਲ ਵੈਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਦੋ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੇ ਸਟੀਲਾਂ ਦਾ XPA ਸਪੈਕਟਰਾ, BM ਦੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ austenitic ਅਤੇ ferritic ਸਥਿਰ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਉਸਾਰੀ ਅਤੇ ਪੈਟਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਉਦਯੋਗ ਵਿੱਚ ਉਪਯੋਗੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। , ਕਿਉਂਕਿ ਦਲੀਲ ਦਿੱਤੀ ਜਿਮੇਨੇਜ਼ ਐਟ ਅਲ.65;ਡੇਵਿਡਸਨ ਅਤੇ ਰੈੱਡਮੰਡ66;ਸ਼ਮੰਤ ਅਤੇ ਹੋਰ 67.
ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਲਡ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਵਾਲੇ E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ: (a) HAZ ਫਿਊਜ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦਿਖਾ ਰਿਹਾ ਹੈ, (b) HAZ ਉੱਚ ਵਿਸਤਾਰ 'ਤੇ ਫਿਊਜ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦਿਖਾ ਰਿਹਾ ਹੈ, (c) ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਲਈ BM, (d) ਵੇਲਡ ਜਿਓਮੈਟਰੀ , ( e) ਨੇੜੇ ਦੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਜ਼ੋਨ ਨੂੰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, (f) HAZ ਉੱਚ ਵਿਸਤਾਰ 'ਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ, (g) ਵੇਲਡ ਜ਼ੋਨ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਟੈਂਸਿਲ ਪੜਾਅ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਲਡ ਜਿਓਮੈਟਰੀਜ਼ 'ਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ: (a) HAZ ਫਿਊਜ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦਿਖਾ ਰਿਹਾ ਹੈ, (b) HAZ ਉੱਚ ਵਿਸਤਾਰ 'ਤੇ ਫਿਊਜ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦਿਖਾ ਰਿਹਾ ਹੈ, (c) ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਬਲਕ ਪੜਾਅ ਲਈ BM, (d) ਵੇਲਡ ਜਿਓਮੈਟਰੀ, (e) ) ਨੇੜੇ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨ ਜ਼ੋਨ ਦਿਖਾ ਰਿਹਾ ਹੈ, (f) HAZ ਉੱਚ ਵਿਸਤਾਰ 'ਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਆਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, (g) ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਅੰਕੜੇ 6a–c ਅਤੇ, ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਲਡਿੰਗ ਜਿਓਮੈਟਰੀਜ਼ (ਚਿੱਤਰ 6d) 'ਤੇ ਇੱਕ E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ DSS ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਮੈਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਬਣਤਰ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਇਹ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਸਤਾਰ 'ਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ ਕਿੱਥੇ ਲਏ ਗਏ ਸਨ।ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.6a, b, f - ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਜ਼ੋਨ, ਫੈਰਾਈਟ-ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਦੇ ਪੜਾਅ ਸੰਤੁਲਨ ਬਣਤਰ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕਰਦੇ ਹੋਏ।ਚਿੱਤਰ 7a-c ਅਤੇ ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੈਲਡਿੰਗ ਜਿਓਮੈਟਰੀਜ਼ (ਚਿੱਤਰ 7d) 'ਤੇ ਇੱਕ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇੱਕ DSS ਜੁਆਇੰਟ ਵੇਲਡ ਦਾ OM ਵੀ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਸਤਾਰਾਂ 'ਤੇ OM ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਬਿੰਦੂਆਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.7a,b,f ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਸੰਤੁਲਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵੇਲਡ ਜੋੜ ਦਾ ਪਰਿਵਰਤਨ ਜ਼ੋਨ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ (WZ) ਵਿੱਚ OM ਨੂੰ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।1 ਅਤੇ ਅੰਜੀਰ.2. ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1 ਅਤੇ E2 6g ਅਤੇ 7g ਲਈ ਵੇਲਡ।BM ਉੱਤੇ OM ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ 1 ਅਤੇ 2 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ।6c, e ਅਤੇ 7c, e ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦਾ ਕੇਸ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਰੋਸ਼ਨੀ ਖੇਤਰ ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਪੜਾਅ ਹੈ ਅਤੇ ਗੂੜ੍ਹਾ ਕਾਲਾ ਖੇਤਰ ਫੇਰਾਈਟ ਪੜਾਅ ਹੈ।ਫਿਊਜ਼ਨ ਲਾਈਨ ਦੇ ਨੇੜੇ ਹੀਟ-ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਜ਼ੋਨ (HAZ) ਵਿੱਚ ਪੜਾਅ ਸੰਤੁਲਨ Cr2N ਪਰੀਪੀਟੇਟਸ ਦੇ ਗਠਨ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ SEM-BSE ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।8a,b ਅਤੇ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ।9a, ਬੀ.Cr2N ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੂੰ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਫੇਰਾਈਟ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ।8a,b ਅਤੇ welded ਹਿੱਸੇ (Fig. 9a-b) ਦੇ SEM-EMF ਪੁਆਇੰਟ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ EMF ਲਾਈਨ ਡਾਇਗ੍ਰਾਮ ਦੁਆਰਾ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ, ਉੱਚ ਵੈਲਡਿੰਗ ਗਰਮੀ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ।ਸਰਕੂਲੇਸ਼ਨ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ ਅਤੇ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਦੇ ਪ੍ਰਸਾਰ ਗੁਣਾਂ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਨਤੀਜੇ Ramirez et al.68 ਅਤੇ Herenyu et al.69 ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੇ ਅਧਿਐਨਾਂ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੇ ਹਨ ਜੋ ਇਹ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ, ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਪਰਵਾਹ ਕੀਤੇ ਬਿਨਾਂ, Cr2N ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਫੈਰਾਈਟ ਅਨਾਜ, ਅਨਾਜ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ, ਅਤੇ α/\(\gamma\) ਸੀਮਾਵਾਂ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਦੁਆਰਾ ਸੁਝਾਏ ਗਏ ਹਨ। ਹੋਰ ਖੋਜਕਾਰ.70.71
(a) E2 ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਵੇਲਡ ਜੁਆਇੰਟ ਦਾ SEM-EMF ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ (1, 2 ਅਤੇ 3) ਸਥਾਨ;
ਪ੍ਰਤੀਨਿਧੀ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੀ ਸਤਹ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ EMFs ਨੂੰ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।10a–c.ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.ਚਿੱਤਰ 10a ਅਤੇ 10b ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਮਵਾਰ, ਅਤੇ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ SEM ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ EMF ਸਪੈਕਟਰਾ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।10c SEM ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ ਅਤੇ OM ਦੇ EMF ਸਪੈਕਟਰਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਔਸਟੇਨਾਈਟ (\(\gamma\)) ਅਤੇ ਫੇਰਾਈਟ (\(\alpha\)) ਪੜਾਅ ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਪ੍ਰਕਿਰਤੀ ਦੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ।ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 10a ਵਿੱਚ EDS ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, 6.25 wt.% Ni ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ Cr (21.69 wt.%) ਅਤੇ Mo (2.65 wt.%) ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਸ਼ਤਤਾ ferrite-austenitic ਪੜਾਅ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਸੰਤੁਲਨ ਦੀ ਭਾਵਨਾ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ (15.97 wt.%) ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ (1.06 wt.%) ਦੀ ਸਮਗਰੀ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਕਮੀ ਦੇ ਨਾਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ, ਜੋ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E2 ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜ ਦੇ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਨਿਕਲ (10.08 wt.%) ਦੀ ਉੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਅੰਜੀਰ.1. ਤੁਲਨਾ ਕਰੋ।EMF ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ 10b.ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਡਬਲਯੂਜ਼ੈਡ ਵਿੱਚ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਬਾਰੀਕ-ਦਾਣੇਦਾਰ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਏਸੀਕੂਲਰ ਸ਼ਕਲ।10b ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ ਫੈਰੀਟਾਈਜ਼ਿੰਗ ਤੱਤਾਂ (Cr ਅਤੇ Mo) ਦੀ ਸੰਭਾਵਤ ਕਮੀ ਅਤੇ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ (Cr2N) ਦੇ ਵਰਖਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ - ਆਸਟੇਨਟਿਕ ਪੜਾਅ।DSS ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ (\(\gamma\)) ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ (\(\alpha\)) ਪੜਾਵਾਂ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਵਰਖਾ ਕਣਾਂ ਦੀ ਵੰਡ ਇਸ ਕਥਨ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੀ ਹੈ72,73,74।ਇਹ ਇਸਦੇ ਮਾੜੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ Cr ਨੂੰ ਇੱਕ ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਮੁੱਖ ਤੱਤ ਮੰਨਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਸਟੀਲ 59,75 ਦੇ ਸਥਾਨਕ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 10b ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 10c ਵਿੱਚ SEM ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ ਵਿੱਚ BM ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਅਨਾਜ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਇਸਦੇ EDS ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਨਤੀਜੇ Cr (23.32 wt%), Mo (3.33 wt%) ਅਤੇ Ni (6.32 wt) ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।%) ਚੰਗੀ ਰਸਾਇਣਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ.%) DSS76 ਢਾਂਚੇ ਦੇ ਫੈਰੀਟ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ ਸੰਤੁਲਨ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤ ਵਜੋਂ।E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਰਚਨਾਤਮਕ EMF ਸਪੈਕਟਰੋਸਕੋਪਿਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਉਸਾਰੀ ਅਤੇ ਥੋੜੇ ਜਿਹੇ ਹਮਲਾਵਰ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਇਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਨੂੰ ਜਾਇਜ਼ ਠਹਿਰਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਕਿਉਂਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਫਾਰਮਰ ਅਤੇ ਫੇਰਾਈਟ ਸਟੈਬੀਲਾਈਜ਼ਰ, 7777777 ਦੇ ਜੋੜਾਂ ਲਈ DSS AISI 220541.72 ਸਟੈਂਡਰਡ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰਦੇ ਹਨ।
ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ SEM ਮਾਈਕ੍ਰੋਗ੍ਰਾਫ, ਜਿੱਥੇ (a) ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਵਿੱਚ ਇੱਕ EMF ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਹੈ, (b) ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E2 ਵਿੱਚ ਇੱਕ EMF ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਹੈ, (c) OM ਵਿੱਚ ਇੱਕ EMF ਸਪੈਕਟ੍ਰਮ ਹੈ।
ਅਭਿਆਸ ਵਿੱਚ, ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਹੈ ਕਿ ਡੀਐਸਐਸ ਵੇਲਡ ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਫੈਰੀਟਿਕ (ਐਫ-ਮੋਡ) ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਠੋਸ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਔਸਟੇਨਾਈਟ ਨਿਊਕਲੀ ਨਿਊਕਲੀਏਟਿੰਗ ਫੈਰੀਟਿਕ ਸੋਲਵਸ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਹੇਠਾਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ ਤੋਂ ਨਿਕਲ ਦੇ ਬਰਾਬਰ ਅਨੁਪਾਤ (ਕ੍ਰੀਕ/ਨੀਕ) (>) 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦਾ ਹੈ। 1.95 ਮੋਡ F ਦਾ ਗਠਨ ਕਰਦਾ ਹੈ) ਕੁਝ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਫੈਰਾਈਟ ਫੇਜ਼ 8078,79 ਵਿੱਚ ਫੈਰਾਈਟ ਬਣਾਉਣ ਵਾਲੇ ਤੱਤਾਂ ਵਜੋਂ Cr ਅਤੇ Mo ਦੀ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਫੈਲਣ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਸਟੀਲ ਦੇ ਇਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਦੇਖਿਆ ਹੈ।ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹੈ ਕਿ DSS 2205 BM ਵਿੱਚ Cr ਅਤੇ Mo (ਉੱਚ ਕ੍ਰੇਕ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ) ਦੀ ਉੱਚ ਮਾਤਰਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਪਰ E1, E2 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡ ਨਾਲੋਂ ਨੀ ਸਮੱਗਰੀ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਇੱਕ ਉੱਚ Creq/Nieq ਅਨੁਪਾਤ ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਮੌਜੂਦਾ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ ਵੀ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਜਿੱਥੇ 1.95 ਤੋਂ ਉੱਪਰ DSS 2205 BM ਲਈ Creq/Nieq ਅਨੁਪਾਤ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਬਲਕ ਮੋਡ (FA ਮੋਡ) ਦੀ ਉੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਕ੍ਰਮਵਾਰ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ-ਫੈਰੀਟਿਕ ਮੋਡ (ਏਐਫ ਮੋਡ), ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਮੋਡ (ਏ ਮੋਡ) ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਮੋਡ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਜ਼ E1, E2 ਅਤੇ C ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਸਖ਼ਤ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ। .), ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਵੇਲਡ ਵਿੱਚ Ni, Cr ਅਤੇ Mo ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਘੱਟ ਹੈ, ਇਹ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ ਕਿ Creq/Nieq ਅਨੁਪਾਤ BM ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਹੈ।E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਫੇਰਾਈਟ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਵਰਮੀਕੂਲਰ ਫੇਰਾਈਟ ਰੂਪ ਵਿਗਿਆਨ ਸੀ ਅਤੇ ਨਿਰਧਾਰਿਤ ਕ੍ਰੇਕ/ਨੀਕ ਅਨੁਪਾਤ 1.20 ਸੀ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ ਦੱਸਿਆ ਗਿਆ ਹੈ।
ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.11a 3.5% NaCl ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਇੱਕ AISI DSS 2205 ਸਟੀਲ ਢਾਂਚੇ ਲਈ ਸਮਾਂ ਬਨਾਮ ਓਪਨ ਸਰਕਟ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਅਲ (OCP) ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ORP ਵਕਰ ਇੱਕ ਹੋਰ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਸੰਭਾਵੀ ਵੱਲ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਧਾਤ ਦੇ ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਇੱਕ ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮ ਦੀ ਦਿੱਖ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਸੰਭਾਵੀ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਗਿਰਾਵਟ ਆਮ ਖੋਰ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲਗਭਗ ਸਥਿਰ ਸੰਭਾਵੀ ਇੱਕ ਦੇ ਗਠਨ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ ਸਮੇਂ ਦੇ ਨਾਲ ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮ., ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਸਤਹ ਸਥਿਰ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਟਿੱਕੀ 77 ਹੈ। ਵਕਰ 3.5% NaCl ਘੋਲ ਵਾਲੇ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲਾਈਟ ਵਿੱਚ ਸਾਰੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਲਈ ਸਥਿਰ ਸਥਿਤੀਆਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਨਮੂਨਾ 7 (ਸੀ-ਇਲੈਕਟਰੋਡ ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਜੋੜ) ਦੇ ਅਪਵਾਦ ਦੇ ਨਾਲ, ਜੋ ਥੋੜੀ ਅਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਅਸਥਿਰਤਾ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਕਲੋਰਾਈਡ ਆਇਨਾਂ (Cl-) ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨਾਲ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਤੇਜ਼ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਖੋਰ ਦੀ ਡਿਗਰੀ ਵਧ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਲਾਗੂ ਸੰਭਾਵੀ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ OCP ਸਕੈਨਿੰਗ ਦੌਰਾਨ ਨਿਰੀਖਣਾਂ ਨੇ ਦਿਖਾਇਆ ਕਿ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਵਿੱਚ Cl ਹਮਲਾਵਰ ਵਾਤਾਵਰਨ ਵਿੱਚ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮੋਡਾਇਨਾਮਿਕ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।ਮਾ ਏਟ ਅਲ.81 ਅਤੇ ਲੋਥੋ ਐਟ ਅਲ.5 ਨੇ ਇਸ ਦਾਅਵੇ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਕਿ Cl- ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ 'ਤੇ ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮਾਂ ਦੇ ਪਤਨ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਹੋਰ ਵੀਅਰ ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਪਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਅਧਿਐਨ ਕੀਤੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ: (ਏ) ਸਮੇਂ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਆਰਐਸਡੀ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ (ਬੀ) 3.5% NaCl ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਡਾਇਨਾਮਿਕ ਧਰੁਵੀਕਰਨ।
ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.11b ਇੱਕ 3.5% NaCl ਘੋਲ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਅਧੀਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ E1, E2 ਅਤੇ C ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਪੋਟੈਂਸ਼ੀਓਡਾਇਨਾਮਿਕ ਪੋਲਰਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਕਰਵ (PPC) ਦਾ ਤੁਲਨਾਤਮਕ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਪੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ।PPC ਅਤੇ 3.5% NaCl ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ BM ਨਮੂਨਿਆਂ ਨੇ ਪੈਸਿਵ ਵਿਵਹਾਰ ਦਿਖਾਇਆ।ਸਾਰਣੀ 5 ਪੀਪੀਸੀ ਵਕਰਾਂ ਤੋਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਈਕੋਰ (ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ) ਅਤੇ ਏਪੀਟ (ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ ਖੋਰ) ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਨਾਲ ਸੰਬੰਧਿਤ ਵਿਵਹਾਰ।ਦੂਜੇ ਨਮੂਨੇ ਨੰਬਰ 2 ਅਤੇ ਨੰ. 5 ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਨਮੂਨੇ ਨੰ. 1 ਅਤੇ ਨੰ. 7 (ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸੀ ਦੇ ਨਾਲ ਬੀ.ਐੱਮ. ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ) ਨੇ NaCl ਘੋਲ (ਚਿੱਤਰ 11b) ਵਿੱਚ ਖੋਰ ਖੋਰ ਦੀ ਉੱਚ ਸੰਭਾਵਨਾ ਦਿਖਾਈ। ).ਬਾਅਦ ਵਾਲੇ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਪਹਿਲਾਂ ਦੀਆਂ ਉੱਚੀਆਂ ਪੈਸੀਵੇਟਿੰਗ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਸਟੀਲ ਦੀ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਰਚਨਾ (ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਅਤੇ ਫੇਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ) ਦੇ ਸੰਤੁਲਨ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਇਕਾਗਰਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹਨ।ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਵਿੱਚ ਫੇਰਾਈਟ ਅਤੇ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਵਾਂ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਰੇਸੇਂਡੀਆ ਐਟ ਅਲ.82 ਨੇ ਹਮਲਾਵਰ ਮੀਡੀਆ ਵਿੱਚ DSS ਦੇ ਪੈਸਿਵ ਵਿਵਹਾਰ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕੀਤਾ.E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੀ ਘੱਟ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਨੂੰ ਵੈਲਡਿੰਗ ਜ਼ੋਨ (WZ) ਵਿੱਚ ਮੁੱਖ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ Cr ਅਤੇ Mo, ਦੀ ਕਮੀ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਉਹ ਫੈਰੀਟ ਪੜਾਅ (Cr ਅਤੇ Mo) ਨੂੰ ਸਥਿਰ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਆਕਸੀਡਾਈਜ਼ਡ ਸਟੀਲਜ਼ ਦੇ ਅਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਪੈਸੀਵੇਟਰ ਅਲਾਏ।ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਉੱਤੇ ਇਹਨਾਂ ਤੱਤਾਂ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਫੈਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਨਾਲੋਂ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਕਾਰਨ ਕਰਕੇ, ਫੇਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਵਕਰ ਦੇ ਪਹਿਲੇ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਨਾਲ ਜੁੜੇ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਨਾਲੋਂ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਲੰਘਦਾ ਹੈ।ਇਹਨਾਂ ਤੱਤਾਂ ਦਾ ਡੀਐਸਐਸ ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 'ਤੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਫੈਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਉੱਚ ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੇ ਕਾਰਨ.ਇਸ ਲਈ, ਫੈਰਾਈਟ ਪੜਾਅ ਦਾ ਤੇਜ਼ ਪਾਸੀਵੇਸ਼ਨ ਔਸਟੇਨਾਈਟ ਪੜਾਅ ਨਾਲੋਂ 81% ਵੱਧ ਹੈ।ਹਾਲਾਂਕਿ Cl- ਇਨ ਘੋਲ ਦਾ ਸਟੀਲ ਫਿਲਮ 83 ਦੀ ਪੈਸੀਵੇਟਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਨਕਾਰਾਤਮਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੈ।ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ, ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਪੈਸੀਵੇਟਿੰਗ ਫਿਲਮ ਦੀ ਸਥਿਰਤਾ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਜਾਵੇਗੀ84।ਟੇਬਲ ਤੋਂ।6 ਇਹ ਵੀ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੀ ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ (Ecorr) E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਕੁਝ ਘੱਟ ਸਥਿਰ ਹੈ।ਇਸਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਅੰਜੀਰ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ E1 ਅਤੇ E2 ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡਾਂ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ ਦੇ ਘੱਟ ਮੁੱਲਾਂ ਦੁਆਰਾ ਵੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।4a,b, ਜੋ ਕਿ ਸਟੀਲ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਫੈਰਾਈਟ (ਟੇਬਲ 5) ਦੀ ਘੱਟ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਕ੍ਰੋਮੀਅਮ ਅਤੇ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ (ਟੇਬਲ 4) ਦੀ ਘੱਟ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ।ਇਹ ਸਿੱਟਾ ਕੱਢਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਸਿਮੂਲੇਟਡ ਸਮੁੰਦਰੀ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਸਟੀਲ ਦਾ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੇ ਘਟਣ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਘੱਟ Cr ਅਤੇ Mo ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ ਘੱਟ ਫੈਰੀਟ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਘਟਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਕਥਨ ਸਲੀਮ ਐਟ ਅਲ.85 ਦੁਆਰਾ ਵੈਲਡਿੰਗ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਵੇਲਡ ਸਟੀਲਾਂ ਦੀ ਖੋਰ ਇਕਸਾਰਤਾ 'ਤੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੇ ਅਧਿਐਨ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਹੈ।ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕਲੋਰਾਈਡ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਤਰੀਕਿਆਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਕੇਸ਼ਿਕਾ ਸਮਾਈ ਅਤੇ ਫੈਲਣ ਦੁਆਰਾ ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਸਮਾਨ ਸ਼ਕਲ ਅਤੇ ਡੂੰਘਾਈ ਦੇ ਟੋਏ (ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ) ਬਣਦੇ ਹਨ।ਉੱਚ pH ਹੱਲਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਧੀ ਕਾਫ਼ੀ ਵੱਖਰੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੇ (OH-) ਸਮੂਹ ਸਟੀਲ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਵੱਲ ਖਿੱਚੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਪੈਸਿਵ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਸਥਿਰ ਕਰਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਸਟੀਲ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 25,86 ਨੂੰ ਵਾਧੂ ਸੁਰੱਖਿਆ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਨਮੂਨੇ ਨੰਬਰ 1 ਅਤੇ ਨੰਬਰ 7 ਦਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵੱਡੀ ਮਾਤਰਾ ਵਿੱਚ δ-ਫੇਰਾਈਟ (ਟੇਬਲ 5) ਅਤੇ ਵੱਡੀ ਮਾਤਰਾ ਵਿੱਚ ਸੀਆਰ ਅਤੇ ਮੋ (ਟੇਬਲ 4) ਦੀ ਸਟੀਲ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦਗੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ ਦਾ ਪੱਧਰ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ ਮੌਜੂਦ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਡੀਐਸਐਸ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਵੇਲਡ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਪੁਰਜ਼ਿਆਂ ਦੇ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ-ਫੇਜ਼ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ।ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਮਿਸ਼ਰਤ ਦੀ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਵੇਲਡ 87,88 ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਿਰਣਾਇਕ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੀ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਗਿਆ ਸੀ ਕਿ ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ E1 ਅਤੇ C ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਨਮੂਨੇ PPC ਵਕਰਾਂ ਤੋਂ ਘੱਟ Ecorr ਮੁੱਲਾਂ ਨੂੰ OCP ਵਕਰਾਂ (ਟੇਬਲ 5) ਤੋਂ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਗਏ ਨਾਲੋਂ ਘੱਟ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।ਇਸਲਈ, ਐਨੋਡ ਖੇਤਰ ਘੱਟ ਸੰਭਾਵਨਾ ਤੋਂ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਪਰਿਵਰਤਨ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਬਣੀ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਦੇ ਅੰਸ਼ਕ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਕੈਥੋਡਿਕ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ ਜੋ OCP89 ਦੀ ਪੂਰੀ ਸਥਿਰਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਤੋਂ ਪਹਿਲਾਂ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ।ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.12a ਅਤੇ b ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵੇਲਡਿੰਗ ਸਥਿਤੀਆਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਖਰਾਬ ਹੋਏ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦੇ 3D ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲਰ ਚਿੱਤਰ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ।ਇਹ ਦੇਖਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ 110 A (ਚਿੱਤਰ 12b) ਦੇ ਉੱਚ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਏ ਗਏ ਹੇਠਲੇ ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ ਨਾਲ ਨਮੂਨਿਆਂ ਦਾ ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ ਦਾ ਆਕਾਰ ਵਧਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਘੱਟ ਵੈਲਡਿੰਗ ਮੌਜੂਦਾ ਅਨੁਪਾਤ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡਾਂ ਲਈ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਪਿਟਿੰਗ ਖੋਰ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ ਤੁਲਨਾਯੋਗ ਹੈ। 90 ਏ. (ਚਿੱਤਰ 12 ਏ)।ਇਹ ਮੁਹੰਮਦ 90 ਦੇ ਦਾਅਵੇ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ ਕਿ ਨਮੂਨੇ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸਲਿੱਪ ਬੈਂਡ ਬਣਾਏ ਜਾਂਦੇ ਹਨ ਤਾਂ ਜੋ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ 3.5% NaCl ਘੋਲ ਨਾਲ ਨਸ਼ਟ ਕਰ ਕੇ ਸਤਹ ਪੈਸੀਵੇਸ਼ਨ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਨਸ਼ਟ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ ਤਾਂ ਜੋ ਕਲੋਰਾਈਡ ਹਮਲਾ ਕਰਨਾ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰ ਦੇਵੇ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਮੱਗਰੀ ਘੁਲ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
ਸਾਰਣੀ 4 ਵਿੱਚ SEM-EDS ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਕਿ ਹਰੇਕ ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ PREN ਮੁੱਲ ਸਾਰੇ ਵੇਲਡਾਂ ਅਤੇ BM ਵਿੱਚ ਫੈਰੀਟ ਦੇ ਮੁੱਲਾਂ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹਨ।ਫੈਰਾਈਟ/ਆਸਟੇਨਾਈਟ ਇੰਟਰਫੇਸ 'ਤੇ ਪਿਟਿੰਗ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਇਨ੍ਹਾਂ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਤੱਤਾਂ ਦੀ ਅਸੰਗਤਤਾ ਅਤੇ ਵੱਖ ਹੋਣ ਕਾਰਨ ਪੈਸਿਵ ਪਦਾਰਥਕ ਪਰਤ ਦੇ ਵਿਨਾਸ਼ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦੇ ਉਲਟ, ਜਿੱਥੇ ਪਿਟਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਰਾਬਰ (PRE) ਮੁੱਲ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਫੇਰੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਪਿਟਿੰਗ ਦੀ ਸ਼ੁਰੂਆਤ ਘੱਟ PRE ਮੁੱਲ (ਸਾਰਣੀ 4) ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।ਔਸਟਿਨਾਈਟ ਪੜਾਅ ਵਿੱਚ ਔਸਟੇਨਾਈਟ ਸਟੈਬੀਲਾਈਜ਼ਰ (ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ ਘੁਲਣਸ਼ੀਲਤਾ) ਦੀ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮਾਤਰਾ ਹੁੰਦੀ ਜਾਪਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਇਸ ਤੱਤ ਦੀ ਉੱਚ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ, ਇਸਲਈ, ਪਿਟਿੰਗ92 ਲਈ ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਅੰਜੀਰ 'ਤੇ.ਚਿੱਤਰ 13 E1, E2, ਅਤੇ C ਵੇਲਡਾਂ ਲਈ ਨਾਜ਼ੁਕ ਪਿਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਵਕਰ ਦਿਖਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਦੇਖਦੇ ਹੋਏ ਕਿ ASTM ਟੈਸਟ ਦੌਰਾਨ ਪਿਟਿੰਗ ਕਾਰਨ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ 100 µA/cm2 ਤੱਕ ਵਧ ਗਈ ਹੈ, ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹੈ ਕਿ E1 ਦੇ ਨਾਲ @110A ਵੇਲਡ ਨੇ 27.5° C ਦਾ ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਪਿਟਿੰਗ ਨਾਜ਼ੁਕ ਤਾਪਮਾਨ ਦਿਖਾਇਆ ਹੈ ਜਿਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ E2 @ 90A ਸੋਲਡਰਿੰਗ 40 ਦਾ CPT ਦਰਸਾਉਂਦੀ ਹੈ। °C, ਅਤੇ C@110A ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ CPT 41°C ਹੈ।ਨਿਰੀਖਣ ਕੀਤੇ ਨਤੀਜੇ ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਟੈਸਟਾਂ ਦੇ ਨਿਰੀਖਣ ਕੀਤੇ ਨਤੀਜਿਆਂ ਨਾਲ ਚੰਗੇ ਸਮਝੌਤੇ ਵਿੱਚ ਹਨ।
ਨਵੇਂ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੀਲ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਖੋਰ ਵਿਵਹਾਰ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ।SMAW ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਗਏ ਅਲਕਲਾਈਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E1) ਅਤੇ ਐਸਿਡਿਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E2) ਨੂੰ ਕ੍ਰਮਵਾਰ 1.7 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਸਮੁੱਚੇ ਕਵਰੇਜ ਅਨੁਪਾਤ ਅਤੇ 2.40 ਅਤੇ 0.40 ਦੇ ਇੱਕ ਖਾਰੀ ਸੂਚਕਾਂਕ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪ੍ਰਵਾਹ ਰਚਨਾ ਨਾਲ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਕੋਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ।ਇੱਕ ਅੜਿੱਕੇ ਮਾਧਿਅਮ ਵਿੱਚ ਟੀਜੀਏ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਪ੍ਰਵਾਹਾਂ ਦੀ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।ਫਲੈਕਸ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ ਵਿੱਚ TiO2 (%) ਦੀ ਉੱਚ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਮੌਜੂਦਗੀ ਨੇ ਬੇਸਿਕ ਫਲੈਕਸ (E1) ਨਾਲ ਕੋਟ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਵਿੱਚ ਐਸਿਡਿਕ ਫਲੈਕਸ (E2) ਨਾਲ ਲੇਪ ਕੀਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਲਈ ਵੇਲਡਮੈਂਟਾਂ ਦੇ ਸਲੈਗ ਹਟਾਉਣ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕੀਤਾ।ਹਾਲਾਂਕਿ ਦੋ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ (E1 ਅਤੇ E2) ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਚੰਗੀ ਚਾਪ ਸ਼ੁਰੂ ਕਰਨ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ।ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗਰਮੀ ਦਾ ਇੰਪੁੱਟ, ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਅਤੇ ਸਪੀਡ, DSS 2205 ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਔਸਟੇਨਾਈਟ/ਫੇਰਾਈਟ ਪੜਾਅ ਸੰਤੁਲਨ ਅਤੇ ਵੇਲਡ ਦੀਆਂ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਣ ਭੂਮਿਕਾ ਨਿਭਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਨਾਲ ਵੇਲਡ ਕੀਤੇ ਜੋੜਾਂ ਨੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਟੈਂਸਿਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ (ਸ਼ੀਅਰ 0.2% YS = 497 MPa ਅਤੇ UTS = 732 MPa) ਦਿਖਾਈਆਂ, ਇਸ ਗੱਲ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਕਿ ਬੇਸਿਕ ਫਲਕਸ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਿੱਚ ਐਸਿਡ ਫਲੈਕਸ ਕੋਟੇਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਇੱਕ ਉੱਚ ਬੇਸਿਕਿਟੀ ਇੰਡੈਕਸ ਹੈ।ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਘੱਟ ਖਾਰੀਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਬਿਹਤਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਇਹ ਸਪੱਸ਼ਟ ਹੈ ਕਿ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਕੋਟਿੰਗ (E1 ਅਤੇ E2) ਦੇ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਵਿੱਚ ਫੈਰੀਟ-ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਪੜਾਅ ਦਾ ਕੋਈ ਸੰਤੁਲਨ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਵੇਲਡ ਦੇ OES ਅਤੇ SEM-EDS ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਪ੍ਰਗਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਅਤੇ ਵਿੱਚ ਵਾਲੀਅਮ ਫਰੈਕਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਵੇਲਡ.ਮੈਟਾਲੋਗ੍ਰਾਫੀ ਨੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ SEM ਅਧਿਐਨ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ.ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਇਹ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਐਲੋਇੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟਸ ਜਿਵੇਂ ਕਿ Cr ਅਤੇ Mo ਅਤੇ ਵੈਲਡਿੰਗ ਦੇ ਦੌਰਾਨ Cr2N ਦੇ ਸੰਭਾਵਿਤ ਰੀਲੀਜ਼ ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੈ, ਜਿਸਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ EDS ਲਾਈਨ ਸਕੈਨਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।ਇਸ ਨੂੰ ਸਟੀਲ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਫੈਰਾਈਟ ਅਤੇ ਮਿਸ਼ਰਤ ਤੱਤਾਂ ਦੇ ਘੱਟ ਅਨੁਪਾਤ ਦੇ ਕਾਰਨ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਾਲੇ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਦੇਖੇ ਗਏ ਘੱਟ ਕਠੋਰਤਾ ਮੁੱਲਾਂ ਦੁਆਰਾ ਹੋਰ ਸਮਰਥਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੈ।E1 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡਾਂ ਦਾ ਸਬੂਤ ਖੋਰ ਸੰਭਾਵੀ (Ecorr) E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੇਲਡਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਘੋਲ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀ ਥੋੜ੍ਹਾ ਘੱਟ ਰੋਧਕ ਸਾਬਤ ਹੋਇਆ।ਇਹ 3.5% NaCl ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਫਲੈਕਸ ਮਿਸ਼ਰਣ ਮਿਸ਼ਰਤ ਰਚਨਾ ਦੇ ਬਿਨਾਂ ਟੈਸਟ ਕੀਤੇ ਗਏ ਵੇਲਡਾਂ ਵਿੱਚ ਨਵੇਂ ਵਿਕਸਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ੀਲਤਾ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਇਹ ਸਿੱਟਾ ਕੱਢਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਕਿ ਨਕਲੀ ਸਮੁੰਦਰੀ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੇ ਘਟਣ ਨਾਲ ਵਧਦਾ ਹੈ।ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਕਾਰਬਾਈਡਾਂ ਅਤੇ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡਾਂ ਦੀ ਵਰਖਾ ਅਤੇ E1 ਅਤੇ E2 ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਵੈਲਡਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਿੱਚ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਕਮੀ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵਧੇ ਹੋਏ ਵੈਲਡਿੰਗ ਕਰੰਟ ਦੁਆਰਾ ਸਮਝਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਦੋਹਰੇ-ਮਕਸਦ ਵਾਲੇ ਸਟੀਲਾਂ ਤੋਂ ਵੇਲਡ ਜੋੜਾਂ ਦੇ ਪੜਾਅ ਸੰਤੁਲਨ ਵਿੱਚ ਅਸੰਤੁਲਨ ਪੈਦਾ ਹੋਇਆ ਸੀ।
ਬੇਨਤੀ ਕਰਨ 'ਤੇ, ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਲਈ ਡੇਟਾ ਸਬੰਧਤ ਲੇਖਕ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ।
ਸਮੂਕ ਓ., ਨੇਨੋਨੇਨ ਪੀ., ਹੈਨੀਨੇਨ ਐਚ. ਅਤੇ ਲੀਮਾਟੇਨੇਨ ਜੇ. ਸੁਪਰ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਦਾ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਉਦਯੋਗਿਕ ਗਰਮੀ ਦੇ ਇਲਾਜ ਵਿੱਚ ਪਾਊਡਰ ਧਾਤੂ ਵਿਗਿਆਨ ਗਰਮ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਪ੍ਰੈੱਸਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।ਧਾਤੂ.ਅਲਮਾ ਮੈਟਰਟ੍ਰਾਂਸA 35, 2103. https://doi.org/10.1007/s11661-004-0158-9 (2004)।
Kuroda T., Ikeuchi K. ਅਤੇ Kitagawa Y. ਆਧੁਨਿਕ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲਾਂ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਮਲ ਹੋਣ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਕੰਟਰੋਲ।ਐਡਵਾਂਸਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਐਨਰਜੀ ਲਈ ਨਵੀਂ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ, 419–422 (2005)।
ਸਮੂਕ ਓ. ਆਧੁਨਿਕ ਪਾਊਡਰ ਧਾਤੂ ਵਿਗਿਆਨ ਦੇ ਸੁਪਰ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲਾਂ ਦੇ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।ਰਾਇਲ ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਆਫ਼ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ (2004)
ਲੋਟੋ, ਟੀ.ਆਰ. ਅਤੇ ਬਾਬਲੋਲਾ, ਪੀ. ਧਰੁਵੀਕਰਨ ਖੋਰ ਵਿਹਾਰ ਅਤੇ ਐਸਿਡ ਕਲੋਰਾਈਡ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ 'ਤੇ AA1070 ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਮੈਟਰਿਕਸ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟਸ ਦਾ ਮਾਈਕਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ।ਪ੍ਰੇਰਕ ਇੰਜੀਨੀਅਰ.4, 1. https://doi.org/10.1080/23311916.2017.1422229 (2017)।
ਬੋਨੋਲੋ ਐੱਫ., ਟਿਜ਼ੀਆਨੀ ਏ. ਅਤੇ ਫੇਰੋ ਪੀ. ਵੈਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਪਰਿਵਰਤਨ ਅਤੇ ਡੁਪਲੈਕਸ ਅਤੇ ਸੁਪਰ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈੱਸ ਸਟੀਲਾਂ ਦੀਆਂ ਅੰਤਿਮ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ 141–159 (ਜੌਨ ਵਿਲੀ ਐਂਡ ਸਨਜ਼ ਇੰਕ., ਹੋਬੋਕੇਨ, 2013)।
ਕਿਸਾਸੋਜ਼ ਏ., ਗੁਰੇਲ ਐਸ. ਅਤੇ ਕਰਾਸਲਾਨ ਏ. ਦੋ-ਪੜਾਅ ਦੇ ਖੋਰ-ਰੋਧਕ ਸਟੀਲਾਂ ਵਿੱਚ ਜਮ੍ਹਾ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 'ਤੇ ਐਨੀਲਿੰਗ ਸਮੇਂ ਅਤੇ ਕੂਲਿੰਗ ਦਰ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ।ਧਾਤੂ.ਵਿਗਿਆਨ.ਗਰਮੀ ਦਾ ਇਲਾਜ.57, 544. https://doi.org/10.1007/s11041-016-9919-5 (2016)।
ਸ਼੍ਰੀਕਾਂਤ ਐਸ, ਸਰਵਨਨ ਪੀ, ਗੋਵਿੰਦਰਾਜਨ ਪੀ, ਸਿਸੋਦੀਆ ਐਸ ਅਤੇ ਰਵੀ ਕੇ. ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਅਤੇ ਖੋਰ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਾਲੇ ਲੀਨ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲਜ਼ (ਐਲਡੀਐਸਐਸ) ਦਾ ਵਿਕਾਸ।ਐਡਵਾਂਸਡ ਅਲਮਾ ਮੈਟਰ।ਸਟੋਰੇਜ਼ ਟੈਂਕ.794, 714 (2013)।
ਇੱਕ ਪਾਊਡਰ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਅਲਾਇੰਗ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਹਲਕੇ ਸਟੀਲ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਉੱਤੇ ਸੁਪਰ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਕਲੈਡਿੰਗ ਲੇਅਰਾਂ ਦੇ ਮੁਰਕੁਟ ਪੀ., ਪਾਸਬਨੀ ਐਸ. ਅਤੇ ਇਸਗੋਰ ਓਬੀ ਧਾਤੂ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ ਕੈਮੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ।ਵਿਗਿਆਨ.ਪ੍ਰਤੀਨਿਧ 10, 10162। https://doi.org/10.1038/s41598-020-67249-2 (2020)।
ਓਸ਼ੀਮਾ, ਟੀ., ਖਬਾਰਾ, ਵਾਈ. ਅਤੇ ਕੁਰੋਦਾ, ਕੇ. ਔਸਟੇਨੀਟਿਕ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ ਨਿਕਲ ਨੂੰ ਬਚਾਉਣ ਦੇ ਯਤਨ।ISIJ ਇੰਟਰਨੈਸ਼ਨਲ 47, 359. https://doi.org/10.2355/isijinternational.47.359 (2007)।
Oikawa W., Tsuge S. ਅਤੇ Gonome F. ਲੀਨ ਡੁਪਲੈਕਸ ਸਟੇਨਲੈਸ ਸਟੀਲਾਂ ਦੀ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਲੜੀ ਦਾ ਵਿਕਾਸ।NSSC 2120™, NSSC™ 2351. ਨਿਪਨ ਸਟੀਲ ਤਕਨੀਕੀ ਰਿਪੋਰਟ ਨੰ. 126 (2021)।